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소스, 드레인 전극이 증착된 기판을 준비하는 단계;이온성 액체 용액 및 고분자 반도체 용액을 준비하는 단계;상기 이온성 액체 용액과 고분자 반도체 용액을 혼합하는 단계;상기 혼합된 혼합물을 기판 상에 코팅하여 고분자 반도체 층을 형성하는 단계;상기 고분자 반도체 층 상에 유전층을 형성하는 단계; 및상기 유전층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는,유기 트랜지스터 제조 공정
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체 용액는이온성 액체와 유기용매가 혼합된,유기 트랜지스터 제조 공정
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제2항에 있어서,상기 이온성 액체는1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide ([EMIM][TFSI]), 1-butyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, 1-allyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, 1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, 1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate 및 1-butyl-3-methylimidazolium chloride 를 포함하는,유기 트랜지스터 제조 공정
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제2항에 있어서,상기 유기용매는아세톤(acetone), 클로로포름(chloroform), 에탄올(ethanol), 다이클로로메탄(dichloromethane)을 포함하는,유기 트랜지스터 제조 공정
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제1항에 있어서,상기 고분자 반도체 용액은고분자 반도체와 유기용매가 혼합된,유기 트랜지스터 제조 공정
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제5항에 있어서,상기 고분자 반도체는poly(hexyl-thiophene)(P3HT), poly[2,5-bis(3-tetradecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene](PBTTT), poly[bis(3-dodecyl-2-thienyl)-2,2'-dithiophene -5,5'-diyl](PQT-12), poly(9,9-dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole)(F8BT), poly(naphthalenetetracarboxylic diimide)(PNDI)를 포함하는,유기 트랜지스터 제조 공정
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제5항에 있어서,상기 유기용매는클로로포름(chloroform), 톨루엔(toluene), 클로로벤젠(chlorobenzene) 및 다이클로로벤젠(dichlorobenzene)을 포함하는,유기 트랜지스터 제조 공정
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제1항에 있어서,상기 유전층은 이온젤이고,상기 이온젤은 이온성 액체와 매트릭스 고분자의 혼합물인유기 트랜지스터 제조 공정
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제1항에 있어서,상기 유전층은 액체 전해질인유기 트랜지스터 제조 공정
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제8항에 있어서,상기 이온성 액체는1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide ([EMIM][TFSI]), 1-butyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, 1-allyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, 1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, 1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate 및 1-butyl-3-methylimidazolium chloride 를 포함하는,유기 트랜지스터 제조 공정
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제8항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는P(VDF-HFP)(poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene)), PVDF(poly(vinylidene fluoride)), PMMA(poly(methyl methacrylate)), PS(polystyrene)을 포함하는,유기 트랜지스터 제조 공정
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제9항에 있어서,상기 액체 전해질은 이온성 액체 또는 이온 용액을 포함하는,유기 트랜지스터 제조 공정
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제1항에 있어서,상기 유전층은스핀코팅, 바코팅, 스프레이코팅, 드랍캐스팅, 딥코팅 및 프린팅을 포함하는 방법으로 코팅되는 것을 특징으로 하는,유기 트랜지스터 제조 공정
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소스와 드레인 전극이 증착된 기판;상기 기판 상에 형성된 고분자 반도체 층;상기 고분자 반도체 층 상에 형성된 유전층; 및상기 유전층 상에 게이트 전극이 형성되고,상기 고분자 반도체 층은 고분자 반도체 및 이온성 액체의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는,유기 트랜지스터
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제14항에 있어서,상기 고분자 반도체는poly(hexyl-thiophene)(P3HT), poly[2,5-bis(3-tetradecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene](PBTTT), poly[bis(3-dodecyl-2-thienyl)-2,2'-dithiophene -5,5'-diyl](PQT-12), poly(9,9-dioctylfluorene-alt-benzothiadiazole)(F8BT), poly(naphthalenetetracarboxylic diimide)(PNDI)를 포함하는,유기 트랜지스터
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제14항에 있어서,상기 유전층은 이온젤이고,상기 이온젤은 이온성 액체와 매트릭스 고분자의 혼합물인유기 트랜지스터
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제14항에 있어서,상기 유전층은 액체 전해질인유기 트랜지스터
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제16항에 있어서,상기 이온성 액체는1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide ([EMIM][TFSI]), 1-butyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, 1-allyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, 1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, 1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate 및 1-butyl-3-methylimidazolium chloride 를 포함하는,유기 트랜지스터
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제16항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는P(VDF-HFP)(poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene)), PVDF(poly(vinylidene fluoride)), PMMA(poly(methyl methacrylate)), PS(polystyrene)을 포함하는,유기 트랜지스터
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제17항에 있어서,상기 액체 전해질은 이온성 액체 또는 이온 용액을 포함하는,유기 트랜지스터
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