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최하부 Mo 박막의 상부에 Zn/Sn/Cu, Zn/Sn/CuSe, Zn/SnSe/Cu 또는 Zn/SnSe/CuSe 박막이 순차적으로 증착된 전구체를 준비하는 단계;상기 전구체를 S, Se 또는 S와 Se 혼합 소스와 함께 진공상태에서 330~380℃의 온도로 70~300Torr의 내부압력이 유지된 상태에서 1차 열처리 하는 단계; 및1차 열처리된 상기 전구체를 400~550℃의 온도에서 내부압력이 600~850Torr로 유지된 상태에서 2차 열처리하는 단계를 포함하되,상기 1차 열처리 하는 단계에서 binary and ternary chalcogenides(CuS(e), SnS(e), Cu2SnS(e)3)를 먼저 형성시킨 후, 상기 2차 열처리 단계를 수행하며 상기 1차 열처리 단계에서 380 ℃ 이하의 온도를 주어 1차 열처리 과정 중에 Cu2S(e) 상의 형성을 저지하는 것을 특징으로 하는 광흡수층 내 결함 제어를 위한 CZTS계 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전구체의 최상부에는 수~수십㎚의 Zn 박막이 증착되는 것을 특징으로 하는 광흡수층 내 결함 제어를 위한 CZTS계 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전구체의 Mo 박막 상부에는 수~수십㎚의 Cu, Sn, CuSn 또는 SnCu 박막이 증착되는 것을 특징으로 하는 광흡수층 내 결함 제어를 위한 CZTS계 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 S, Se 또는 S와 Se 혼합 소스는 Se 파우더, H2Se 가스, Se 펠릿, S 파우더, H2S 가스, S와 Se를 직접 혼합한 파우더, SSe 파우더, SSe2 파우더 또는 SSe3 파우더인 것을 특징으로 하는 광흡수층 내 결함 제어를 위한 CZTS계 박막 태양전지의 광흡수층 제조방법
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