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실리콘, 탄소원 및 그래핀 산화물을 단일공정으로 혼합하여 분산된 현탁액을 제조하는 단계(단계 1);상기 현탁액을 에어로졸 공정을 통해, 실리콘-탄소원-그래핀 산화물 복합체로 형성하는 단계(단계 2); 및상기 실리콘-탄소원-그래핀 산화물 복합체를 열처리하여 실리콘-탄소-그래핀 복합체를 형성하는 단계(단계 3);를 포함하고, 상기 단계 1의 실리콘은 입자로서, 평균 입자 크기는 200 nm 내지 1 μm 이고,상기 단계 1의 실리콘의 농도는 현탁액에 대하여 0
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 실리콘은,실리콘 웨이퍼 제조 공정에서 발생하는 실리콘 슬러지로부터 획득되는 것을 특징으로 하는 실리콘-탄소-그래핀 복합체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 실리콘은,평균 입자 크기가 1 μm 이상인 실리콘을 분쇄 및 분산하여 획득되는 것을 특징으로 하는 실리콘-탄소-그래핀 복합체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 탄소원은,단당류, 이당류, 다당류, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리에틸렌글리콜(PEG) 및폴리비닐 알코올(PVA)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘-탄소-그래핀 복합체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 에어로졸 공정은 상기 현탁액을 노즐을 통해 에어로졸 액적으로 분무하고, 이송가스를 통해 관상형 가열로로 통과시켜 건조하는 단계를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘-탄소-그래핀 복합체 제조방법
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제9항에 있어서,상기 단계 2의 이송가스는 아르곤, 헬륨 및 질소로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 가스인 것을 특징으로 하는 실리콘-탄소-그래핀 복합체 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 이송가스의 유속은 5 L/min 내지 15 L/min 인 것을 특징으로 하는 실리콘-탄소-그래핀 복합체 제조방법
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제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 단계 2의 에어로졸 공정 온도는 150 ℃ 내지 250 ℃ 에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘-탄소-그래핀 복합체 제조방법
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제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 단계 3의 열처리는 500 ℃ 내지 1000 ℃ 에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘-탄소-그래핀 복합체 제조방법
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제1항의 실리콘-탄소-그래핀 복합체 제조방법에 의해 제조된 실리콘-탄소-그래핀 복합체로서,실리콘, 탄소 및 그래핀을 포함하고; 상기 그래핀과 탄소가 실리콘 입자를 둘러싸며 형성된 탄소 이중 코팅층을 포함한 구겨진 구형의 형태를 갖고,상기 실리콘은 입자로서, 평균 입자 크기는 200 nm 내지 1 μm 이고,실리콘:탄소원:그래핀 산화물의 중량비는 1
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제14항에 있어서,상기 탄소는 단당류, 이당류, 다당류, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리에틸렌글리콜(PEG) 및 폴리비닐 알코올(PVA)로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘-탄소-그래핀 복합체
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양극; 상기 제14항의 실리콘-탄소-그래핀 복합체를 포함하는 음극재; 상기 양극과 음극재 사이에 구비되는 분리막; 및 전해질;을 포함하는 리튬이온 이차전지
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