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기판;상기 기판상에 위치하고, 제1 게이트 전극을 포함하는 제1 반도체; 및상기 제1 반도체와 이격되어 위치하며, 제2 게이트 전극을 포함하는 제2 반도체를 포함하고,상기 제1 반도체는, 상기 제1 게이트 전극 상에 위치하며, 탄소계 물질이 도입된 수소 감지층을 포함하는 수소 센서
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제1항에 있어서,상기 수소 감지층의 평균 두께는 50nm 내지 5000nm인 수소 센서
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제1항에 있어서, 상기 탄소계 물질은,상기 수소 감지층 전체 부피를 기준으로, 10 부피% 내지 80 부피% 도입된 수소 센서
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제1항에 있어서, 상기 탄소계 물질은 그래핀, 환원그래핀산화물 및 rGO 중 적어도 하나인 수소 센서
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제1항에 있어서,상기 수소 감지층은 팔라듐(Pd), 은(Ag), 코발트(Co) 및 니켈(Ni)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 수소 센서
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제5항에 있어서,상기 수소 감지층 전체를 기준으로, 상기 팔라듐(Pd) 및 은(Ag)의 중량비는 1:0
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제5항에 있어서,상기 팔라듐은 나노튜브 형상이고,상기 팔라듐의 평균 직경은 40nm 내지 100nm 범위이며,상기 팔라듐의 평균 길이는 400nm 내지 1000nm 범위인 수소 센서
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제1항에 있어서,상기 기판의 평균 두께는 50㎛ 내지 150㎛ 범위인 수소 센서
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