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챔버 내에 다공성 고분자막을 제공하는 과정; 상기 챔버 내에 주입된 처리가스 분위기에서 형성된 플라즈마를 이용하여 상기 다공성 고분자막을 플라즈마 처리하는 과정;상기 플라즈마 처리된 다공성 고분자막 상에 다공성 그래핀층을 형성하는 과정; 및상기 다공성 그래핀층 상에 다공성 금속 패턴층을 형성하는 과정;을 포함하는 가스센서용 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리하는 과정 및 상기 다공성 그래핀층을 형성하는 과정을 상기 챔버 내에서 인시츄(In-situ)로 연속해서 진행하는 가스센서용 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 고분자막은 불소계 고분자로 이루어진 가스센서용 전극 제조방법
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제3항에 있어서,상기 플라즈마 처리하는 과정은 상기 다공성 고분자막의 C-F 결합들 중 적어도 일부를 끊는 가스 센서용 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 그래핀층을 형성하는 과정은, 100℃ 이상이며 300℃ 이하인 공정 온도에서 진행하는 가스센서용 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 그래핀층을 형성하는 과정은 플라즈마 화학 기상 증착법으로 진행하는 가스센서용 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 처리가스는 아르곤(Ar) 및 산소(O2) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가스센서용 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 금속 패턴층을 형성하는 과정은,전사 기판 상에 예비 다공성 금속 패턴층을 형성하는 과정; 및상기 다공성 그래핀층 상에 상기 예비 다공성 금속 패턴층을 전사하는 과정;을 포함하는 가스센서용 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다공성 금속 패턴층을 형성하는 과정은,제1 전사 기판 상에 복수의 제1 라인 패턴들을 포함하는 제1 단위 패턴층을 형성하는 과정;상기 다공성 그래핀층 상에 상기 제1 단위 패턴층을 전사하는 과정; 제2 전사 기판 상에 복수의 제2 라인 패턴들을 포함하는 제2 단위 패턴층을 형성하는 과정; 및상기 제1 단위 패턴층 상에 상기 제2 단위 패턴층을 전사하는 과정;을 포함하는 가스센서용 전극 제조방법
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제9항에 있어서,상기 복수의 제2 라인 패턴들은 상기 복수의 제1 라인 패턴들과 서로 교차하도록 배치되는 가스센서용 전극 제조방법
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검지 대상 가스가 통과하는 가스 통과구를 가지는 하우징;상기 검지 대상 가스가 투과하는 다공성 고분자막;상기 다공성 고분자막에 결합된 작업전극; 및상기 작업전극에 접촉하는 전해질;을 포함하고,상기 작업전극은 상기 다공성 고분자막의 표면에 배치된 다공성 그래핀층 및 상기 다공성 그래핀층 상에 배치된 다공성 금속 패턴층을 포함하는 가스센서
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제11항에 있어서,상기 다공성 고분자막은 불소계 고분자로 이루어지는 가스센서용 전극 제조방법
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제11항에 있어서,상기 다공성 금속 패턴층은 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag) 및 팔라듐(Pd) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가스센서
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제11항에 있어서,상기 전해질은 고체 또는 반고체의 상태인 가스센서
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