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일 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층을 둘러싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성된 채 데이터 저장소로 사용되는 적어도 하나의 강유전체막; 및상기 적어도 하나의 강유전체막에 대해 수직적으로 연결되도록 적층되는 복수의 전극층들을 포함하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막은, 상기 복수의 전극층들과 맞닿는 영역들로 복수의 메모리 셀들을 구현하고, 상기 적어도 하나의 채널층의 턴 온 전압이 상기 메모리 셀들 각각의 동작 전압보다 작고 상기 메모리 셀들 각각이 프로그램 되었을 때의 문턱 전압보다 큰 조건을 만족시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제2항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막은, 상기 조건을 만족시키도록 두께가 조절되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막은, 사방정계(Orthorhombic) 결정 구조를 갖는 HfO2의 강유전체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제4항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막은, Al, Zr 또는 Si 중 적어도 하나의 물질이 도핑된 HfO2의 강유전체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막은, PZT(Pb(Zr, Ti)O3), PTO(PbTiO3), SBT(SrBi2Ti2O3), BLT(Bi(La, Ti)O3), PLZT(Pb(La, Zr)TiO3), BST(Bi(Sr, Ti)O3), 티탄산바륨(barium titanate, BaTiO3), P(VDF-TrFE), PVDF, AlOx, ZnOx, TiOx, TaOx 또는 InOx 중 적어도 하나를 포함하는 강유전체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막은, 단일 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막은, 복수의 박막들로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막은, 복수 비트들의 데이터를 나타내는 다치화 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 채널층은, CAAC(C-axis aligned crystal) 결정 구조를 갖는, Zn, In, Ga, 4족 반도체 물질 또는 3-5족 화합물을 포함하는 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제10항에 있어서,상기 반도체 물질은, AZO, ZTO, IZO, ITO, IGZO 또는 Ag-ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 ZnOx 계열의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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일 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층 및 상기 적어도 하나의 채널층에 대해 수직적으로 적층되는 복수의 전극층들을 포함하는 3차원 플래시 메모리에서 이용되는 적어도 하나의 강유전체막에 있어서, 상기 적어도 하나의 강유전체막은, 상기 적어도 하나의 채널층을 둘러싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성된 채 데이터 저장소로 사용되어 상기 복수의 전극층들과 맞닿는 영역들로 복수의 메모리 셀들을 구현하고, 상기 적어도 하나의 채널층의 턴 온 전압이 상기 메모리 셀들 각각의 동작 전압보다 작고 상기 메모리 셀들 각각이 프로그램 되었을 때의 문턱 전압보다 큰 조건을 만족시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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기판 상에, 복수의 층간 절연층들 및 복수의 전극층들이 교대로 적층되는 몰드 구조체를 준비하는 단계; 상기 몰드 구조체를 관통하여 상기 기판을 노출시키는 적어도 하나의 스트링 홀(String Hole)을 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 스트링 홀 내에 데이터 저장소로 사용되는 적어도 하나의 강유전체막-상기 적어도 하나의 강유전체막은 내부의 수직 홀을 포함함-을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 강유전체막의 수직 홀에 적어도 하나의 채널층을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 강유전체막 상 상기 복수의 전극층들과 맞닿는 영역들로 복수의 메모리 셀들을 구현하는 가운데, 상기 적어도 하나의 채널층의 턴 온 전압이 상기 메모리 셀들 각각의 동작 전압보다 작고 상기 메모리 셀들 각각이 프로그램 되었을 때의 문턱 전압보다 큰 조건을 만족시키도록 상기 적어도 하나의 강유전체막을 형성하는 단계인, 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계 및 상기 적어도 하나의 채널층을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, ALD(Atomic layer deposition) 공정을 이용하여 연속적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막을 형성하는 단계는, 상기 조건을 만족시키도록 상기 적어도 하나의 강유전체막의 두께를 조절하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, 사방정계(Orthorhombic) 결정 구조를 갖는 HfO2의 강유전체 물질로 상기 적어도 하나의 강유전체막을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 적어도 하나의 강유전체막을 형성하는 단계는, Al, Zr 또는 Si 중 적어도 하나의 물질이 도핑된 HfO2의 강유전체 물질로 상기 적어도 하나의 강유전체막을 형성하는 단계인, 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 적어도 하나의 채널층을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계는, CAAC(C-axis aligned crystal) 결정 구조를 갖는, Zn, In, Ga, 4족 반도체 물질 또는 3-5족 화합물을 포함하는 반도체 물질로 상기 적어도 하나의 채널층을 형성하는 단계인, 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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기판 상에, 복수의 층간 절연층들 및 복수의 희생층들이 교대로 적층되는 몰드 구조체를 준비하는 단계; 상기 몰드 구조체를 관통하여 상기 기판을 노출시키는 적어도 하나의 스트링 홀(String Hole)을 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 스트링 홀 내에 데이터 저장소로 사용되는 적어도 하나의 강유전체막-상기 적어도 하나의 강유전체막은 내부의 수직 홀을 포함함-을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 강유전체막의 수직 홀에 적어도 하나의 채널층을 상기 일 방향으로 연장 형성하는 단계; 및 상기 복수의 희생층들을 제거하고 상기 복수의 희생층들이 제거된 공간들에 복수의 전극층들을 충진하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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