| 1 |
1
기판을 준비하는 단계; 상기 기판을 식각하여, 상기 기판 내에 복수의 기공이 형성된 베이스 구조체를 제조하는 단계; 상기 베이스 구조체에 금속 소스를 제공하여, 상기 베이스 구조체가 포함하는 상기 복수의 기공 내에, 상기 금속을 포함하는 기능성 입자가 증착된 발광 구조체를 제조하는 단계; 및 상기 발광 구조체를 열처리하는 단계를 포함하되, 상기 발광 구조체의 열처리 온도에 따라, 상기 발광 구조체로부터 발광되는 빛의 파장대가 제어되는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 발광 구조체의 열처리 온도가 증가함에 따라, 상기 발광 구조체가 포함하는 상기 기능성 입자의 크기가 증가하는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서, 상기 기능성 입자의 크기에 따라, 상기 발광 구조체로부터 발광되는 빛의 파장대가 제어되는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서, 상기 발광 구조체가 400℃ 또는 600℃로 열처리되는 경우, 상기 발광 구조체는 청색 파장대의 빛을 발광하는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서, 상기 발광 구조체가 400℃, 600℃, 800℃, 또는 1000℃로 열처리되는 경우, 상기 발광 구조체는 적색 파장대의 빛을 발광하는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서, 상기 베이스 구조체 상에 제공되는 상기 금속 소스는, 스퍼터링(sputtering) 방법으로 제공되는 것을 포함하는 발광 구조체의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서, 상기 베이스 구조체 제조 단계는, 강산을 포함하는 식각 용액을 준비하는 단계; 상기 식각 용액 내에 상기 베이스 구조체를 침지시키는 단계; 및 침지된 상기 베이스 구조체에 전류를 인가하는 단계를 포함하는 발광 구조체의 제조 방법
|
| 8 |
8
실리콘 산화물(SiOx)을 포함하는 다공성 베이스 구조체; 및 상기 베이스 구조체가 포함하는 복수의 기공 내에 배치되고, 금속을 포함하는 기능성 입자를 포함하되, 상기 기능성 입자는 나노미터 크기를 갖는 것을 포함하는 발광 구조체
|
| 9 |
9
제8 항에 있어서, 상기 베이스 구조체는, 상기 베이스 구조체 및 상기 기능성 입자가 접촉되는 제1 영역, 및 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역으로 구분되되, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 결정성이 서로 다른 것을 포함하는 발광 구조체
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서, 상기 제1 영역은 결정질(crystalline) 특성을 나타내고, 상기 제2 영역은 비정질(amorphous) 특성을 나타내는 것을 포함하는 발광 구조체
|
| 11 |
11
제8 항에 있어서, 상기 금속은, Ag, Au, Pt, 또는 Pd 중 어느 하나를 포함하는 발광 구조체
|
| 12 |
12
제8 항에 있어서, 상기 발광 구조체는, 가시광 영역대의 빛을 발광하는 것을 포함하는 발광 구조체
|
