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방사선 저항성을 발휘하는 ZITO(zinc-indium-tin oxide)을 함유하는 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물
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제1항에 있어서, ZITO는 양성자선, 감마선 및 엑스선 모두에 저항성을 발휘하는 것이 특징인 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물
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제1항에 있어서, ZITO 가 방사선 저항성을 발휘하도록 ZITO 의 조성은 Zn : In : Sn = 4 ~ 2 : 1 : 1 범위 내에서 조절된 것이 특징인 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 방사선 저항성 ZITO는 방사선 저항성 전자소자의 금속산화물 반도체층을 형성하는 것이 특징인 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 방사선 저항성 ZITO는 방사선 저항성 트랜지스터의 금속산화물 반도체층을 형성하는 것이 특징인 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, ZITO를 소결하여 이루어지는 방사선 저항성 산화물 반도체 타깃인 것이 특징인 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물
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방사선 노출시 성능저하 또는 오작동을 감소시키기 위해 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 방사선 저항성 ZITO 함유 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물로 채널층이 형성된 것이 특징인 방사선 노출용 방사선 내구성 산화물 박막 트랜지스터(Thin film transistor, TFT)
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방사선 노출시 성능저하 또는 오작동을 감소시키기 위해 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 방사선 저항성 ZITO 함유 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물로 방사선 저항성 금속산화물 반도체층이 형성된 것이 특징인 방사선 노출용 방사선 내구성 전자기기(electronics)
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제8항에 있어서, 방사선 노출용 전자기기는 우주공간, 원자력 발전소, 또는 방사선을 이용하는 의료기기 또는 보안기기 사용공간에서 사용되는 전자기기인 것이 특징인 방사선 노출용 방사선 내구성 전자기기
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제8항에 있어서, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 방사선 저항성 ZITO 함유 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물로 채널층이 형성된 방사선 내구성 트랜지스터를 구비한 것이 특징인 방사선 노출용 방사선 내구성 전자기기
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 방사선 저항성 ZITO 함유 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물의 제조방법에 있어서,특정 Zn : In : Sn 조성비의 ZITO 함유 금속산화물 반도체 소재 또는 이를 사용하여 제작된 소자에 양성자를 조사하여 금속산화물 반도체 소재 또는 금속산화물 반도체층 내 산소의 빈격자점(oxygen vacancy) 생성 여부 및 정도를 확인하는 단계를 포함하는 것이 특징인 ZITO 함유 방사선 저항성 금속산화물 반도체 조성물의 제조방법
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ZITO 함유 금속산화물 반도체 소재를 사용하여 제작된 전자기기의 방사선 내구성 평가방법에 있어서, ZITO 함유 금속산화물 반도체 소재를 사용하여 제작된 전자기기에 양성자를 조사하여 금속산화물 반도체층 내 산소의 빈격자점(oxygen vacancy) 생성 여부 및 정도를 확인하는 단계를 포함하는 것이 특징인 전자기기의 방사선 내구성 평가방법
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제11항 또는 제12항에 있어서, 산소의 빈격자점(oxygen vacancy) 생성 여부 및 정도는 분석하고자 하는 금속산화물 반도체 소재 또는 금속산화물 반도체층 내에 산소의 빈격자점(oxygen vacancy)이 있을 시 이로 인해 생성되는 자유전자들의 양을 확인하는 것이 특징인 방법
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제11항 또는 제12항에 있어서, 산소의 빈격자점(oxygen vacancy) 생성 여부 및 정도는 양성자 조사 전후 전자스핀공명(electron spin resonance; ESR)을 통해 금속산화물 반도체 소재 내의 산소의 빈격자점에서 야기된 자유전자로부터 발생되는 ESR 피크를 분석하고/분석하거나, XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)을 통해 O vacancy peak 및/또는 M-OH peak를 분석하여 수행하는 것이 특징인 방법
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제11항 또는 제12항에 있어서, 추가로 분석대상 ZITO 함유 금속산화물 반도체 소재를 채널층으로 사용하는 산화물 반도체 TFT 소자를 제작 후 양성자선, 감마선, 엑스선 조사 전후에 따른 turn-on voltage(Von)의 변화 정도를 확인하는 단계를 포함하는 것이 특징인 방법
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제11항에 있어서, ZITO 함유 산화물 반도체 소재에 원하는 방사선 저항성 정도를 부여하기 위해 ZITO 함유 산화물 반도체 소재의 결정구조 및/또는 아연(Zn), 인듐(In) 및 주석(Sn)의 함량을 결정하는 단계를 더 포함하는 것이 특징인 방법
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