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파장변환 광대역 광소자에 있어서, 태양광이 입사되는 기판층;상기 기판층의 일면에 위치하는 제1 전극체;상기 제1 전극체의 일면에 위치하며, 상기 기판층을 통과한 태양광이 흡수되는 광흡수층;상기 광흡수층의 일면에 위치하는 제2 전극체; 및 상기 제1 전극체와 상기 기판층의 사이에 위치하며, 상기 기판층을 통과하는 태양전지의 파장 중 기설정된 범위의 파장범위의 빛을 상향변환시키는 상향변환형광체층을 포함하는 파장변환 광대역 광소자
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제1항에 있어서,상기 상향변환형광체층 일면에는, 상기 기판층과 상기 광흡수층이 배치되는 제1방향으로 돌출된 형상으로 형성되는 나노 구조체가 복수개 제공되는 파장변환 광대역 광소자
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제2항에 있어서,상기 나노 구조체는,상기 기판층 중 태양광이 입사되는 상기 기판층 면에 더 제공되는 파장변환 광대역 광소자
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체는,각각의 이격거리가 서로 일정한 간격을 가지는 파장변환 광대역 광소자
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체는,각각의 이격거리가 서로 다른 간격을 가지는 파장변환 광대역 광소자
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제1항에 있어서, 상기 상향변환형광체층을 이루는 형광체는,상기 기판층을 통과하는 광 중 적외선 영역의 파장 빛을 흡수하여, 가시광선 파장 영역의 빛으로 변환시키는 물질로 제공되는 파장변환 광대역 광소자
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제4항에 있어서,상기 상향변환형광체층을 이루는 형광체는,산화물 형광체를 포함하는 파장변환 광대역 광소자
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 전극체는, 상기 상향변환형광체층의 일면에 위치하는 투명 전극층; 및상기 투명 전극층과 상기 광흡수층 사이에 위치하는 전자 수송층을 포함하는 파장변환 광대역 광소자
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태양전지에 있어서, 태양광이 입사되는 기판층;상기 기판층의 일면에 위치하는 제1 전극체; 상기 제1 전극체의 일면에 위치하며, 상기 기판층을 통과한 태양광이 흡수되는 광흡수층; 상기 광흡수층의 일면에 위치하는 제2 전극체; 및상기 제1 전극체와 상기 기판층의 사이에 위치하며, 상기 기판층을 통과하는 상기 태양전지의 파장 중 기설정된 범위의 파장범위의 빛을 상향변환시키는 상향변환형광체층을 포함하고, 상기 기판층의 일면 또는 양면에는 상기 기판층과 상기 광흡수층이 배치되는 제1방향으로 돌출된 형상으로 형성되는 나노 구조체가 복수개 제공되는 파장변환 광대역 광소자
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제9항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체는,각각의 이격거리가 서로 일정한 간격을 가지는 파장변환 광대역 광소자
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제9항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체는,각각의 이격거리가 서로 다른 간격을 가지는 파장변환 광대역 광소자
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제9항에 있어서, 상기 상향변환형광체층을 이루는 형광체는,상기 기판층을 통과하는 광 중 적외선 영역의 파장 빛을 흡수하여, 가시광선 파장 영역의 빛으로 변환시키는 물질로 제공되는 파장변환 광대역 광소자
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제12항에 있어서,상기 형광체는,산화물 형광체를 포함하는 파장변환 광대역 광소자
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파장변환 광대역 광소자를 제조하는 방법에 있어서, 태양광이 입사되는 기판층을 형성하는 단계;상기 기판층에 상향변환형광체층을 형성하는 단계;상기 상향변환형광체층의 일면에 제1 전극체를 형성하는 단계;상기 제1 전극체의 일면에 위치하도록 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층의 일면에 위치하도록 제2 전극체를 형성하는 단계를 포함하되,상기 기판층에 상기 상향변환형광체층을 형성 시, 유기용매에 분산된 상향변환형광체를 코팅하여 형성하는 파장변환 광대역 광소자 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 기판층에 상기 상향변환형광체층을 형성하기 전에 상기 기판 일면 또는 양면에 나노 구조체를 형성하는 단계를 더 포함하는 파장변환 광대역 광소자 제조 방법
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제15항에 있어서,나노 구조체 형성 시, 기판상에 금속 박막을 형성 후 상기 박막을 기설정된 온도 이상으로 열처리 공정을 수행하여 나노 구초체를 형성하는 파장변환 광대역 광소자 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 나노 구조에서 나노 구조체 형성 시, 드라이 에칭(Dry Etching) 법을 이용해 나노 구조체를 형성하는 파장변환 광대역 광소자 제조 방법
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