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기판을 처리하는 장치에 있어서,기판을 지지하는 지지 유닛;상기 지지 유닛의 상부에 배치되는 상부 전극 유닛;상기 상부 전극 유닛에 결합되며 기판 상에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;상기 지지 유닛에 놓인 기판의 하부에 배치되는 하부 전극; 및상기 상부 전극 유닛의 상부 전극으로 전력을 인가하고 상기 하부 전극은 접지 처리하는 전원;을 포함하고,상기 상부 전극 유닛은,베이스 부재;상기 베이스 부재 상에 형성되는 유전층; 및상기 유전층에 메쉬 구조로 제공되어 플라즈마를 발생시키는 상부 전극을 포함하는 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 상부 전극은, 상부에서 바라볼 때 상기 하부 전극에 대응하는 크기로 제공되는 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 기판 처리 장치는, 대기압 플라즈마 처리 장치인 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 상부 전극 유닛 및 상기 가스 공급 유닛을 상하로 이동시키는 구동부;를 더 포함하며,상기 구동부는,상기 상부 전극 유닛 및 상기 가스 공급 유닛을 상기 지지 유닛을 향하여 이동시켜, 상기 가스 공급 유닛을 상기 지지 유닛에 형성되는 결합 부재에 접촉시켜서 기판 주변으로 처리 공간이 형성되도록 하는 기판 처리 장치
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제4항에 있어서,상기 가스 공급 유닛은,상기 베이스 부재와의 사이에 가스 유입 공간 및 가스 배출 공간을 형성하도록 상기 베이스 부재의 아래에서 상기 베이스 부재에 결합되는 가이드 부재;상기 가스 유입 공간을 통해 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급 라인 및 가스 공급 밸브를 포함하는 가스 공급부; 및상기 가스 배출 공간을 통해 상기 처리 공간의 공정 가스를 배기시키기 위한 가스 배기 라인 및 가스 배기 밸브를 포함하는 가스 배기부;를 포함하는 기판 처리 장치
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제5항에 있어서,상기 가이드 부재는,중공의 직육면체 형상을 가지며, 상기 가스 유입 공간 및 상기 가스 배출 공간은 서로 맞은편에 위치하는 기판 처리 장치
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제6항에 있어서,상기 가이드 부재는, 측면에 상기 처리 공간을 관찰할 수 있는 복수의 홀이 형성되는 기판 처리 장치
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제6항에 있어서,상기 가이드 부재는, 투명한 재질로 제공되는 기판 처리 장치
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제5항에 있어서,상기 가스 공급 유닛 및 상기 전원을 제어하는 제어 유닛;을 더 포함하며,상기 제어 유닛은, 상기 가스 배기 밸브가 닫힌 상태에서 상기 가스 공급 밸브를 개방하여 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하고, 상기 가스 공급 밸브가 개방된 시점부터 기설정된 시간 이후 상기 상부 전극 유닛의 상부 전극으로 전력을 인가하고 상기 하부 전극은 접지 처리하여 플라즈마를 생성하는 기판 처리 장치
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제5항에 있어서,상기 가스 공급 유닛 및 상기 전원을 제어하는 제어 유닛;을 더 포함하며,상기 제어 유닛은, 상기 가스 공급 밸브를 개방하여 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하면서 동시에 상기 가스 배기 밸브를 개방하여 상기 처리 공간의 공정 가스를 배기하고, 상기 가스 공급 밸브가 개방된 시점부터 기설정된 시간 이후 상기 상부 전극 유닛의 상부 전극으로 전력을 인가하고 상기 하부 전극은 접지 처리하여 플라즈마를 생성하는 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 공정 가스는, 질소(N2), 공기, 아르곤(Ar), CxFx 가스 중 어느 하나의 단일 가스 또는 상기 단일 가스에 수증기(H2O) 및 산소(O2) 중 적어도 하나를 혼합한 혼합 가스를 포함하는 기판 처리 장치
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메쉬 구조는, 다각형 형상을 가지는 기판 처리 장치
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제12항에 있어서,상기 메쉬 구조는, 삼각형, 사각형 및 육각형 벌집 형상 중 어느 하나의 반복적인 메쉬 형태인 기판 처리 장치
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제1항에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 플라즈마 처리하는 방법에 있어서,기판 주변으로 처리 공간을 형성하기 위하여 상기 가스 공급 유닛을 상기 지지 유닛을 향하여 이동시켜, 상기 가스 공급 유닛을 상기 지지 유닛에 형성되는 결합 부재에 접촉시키는 단계;상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 단계;상기 상부 전극 유닛으로 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하는 단계; 및상기 플라즈마를 이용하여 기판을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법
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제14항에 있어서,상기 플라즈마는 대기압에서 생성되는 기판 처리 방법
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제14항에 있어서,상기 상부 전극은, 상부에서 바라볼 때 상기 하부 전극에 대응하는 크기로 제공되는 기판 처리 방법
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제14항에 있어서,상기 공정 가스를 공급하는 단계는,상기 가스 배기 밸브가 닫힌 상태에서 상기 가스 공급 밸브를 개방하여 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하고,상기 플라즈마를 생성하는 단계는,상기 가스 공급 밸브가 개방된 시점부터 기설정된 시간 이후 상기 상부 전극 유닛의 상부 전극으로 전력을 인가하고 상기 하부 전극은 접지 처리하여 플라즈마를 생성하는 기판 처리 방법
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제14항에 있어서,상기 공정 가스를 공급하는 단계는,상기 가스 공급 밸브를 개방하여 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하면서 동시에 상기 가스 배기 밸브를 개방하여 상기 처리 공간의 공정 가스를 배기하고,상기 플라즈마를 생성하는 단계는,상기 가스 공급 밸브가 개방된 시점부터 기설정된 시간 이후 상기 상부 전극 유닛의 상부 전극으로 전력을 인가하고 상기 하부 전극은 접지 처리하여 플라즈마를 생성하는 기판 처리 방법
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제14항에 있어서,상기 공정 가스는, 질소(N2), 공기, 아르곤(Ar), CxFx 가스 중 어느 하나의 단일 가스 또는 상기 단일 가스에 수증기(H2O) 및 산소(O2) 중 적어도 하나를 혼합한 혼합 가스를 포함하는 기판 처리 방법
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제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메쉬 구조는, 다각형 형상을 가지는 기판 처리 방법
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제20항에 있어서,상기 메쉬 구조는, 삼각형, 사각형 및 육각형 벌집 형상 중 어느 하나의 반복적인 메쉬 형태인 기판 처리 방법
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