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산화아연(ZnO)-단일벽 탄소나노튜브 복합체를 포함하며,상기 산화아연-단일벽 탄소나노튜브 복합체는 단일벽 탄소나노튜브(swCNT)에 산화아연(ZnO)이 분산된 것을 특징으로 하는 자외선 센서
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제1항에 있어서, 상기 자외선 센서는, 기판; 상기 기판의 적어도 일면에 형성되는 자외선 감응부; 및 상기 자외선 감응부의 양 단부에 형성되는 전극;을 포함하며,상기 자외선 감응부는 상기 산화아연(ZnO)-단일벽 탄소나노튜브 복합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 센서
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제1항에 있어서, 상기 단일벽 탄소나노튜브 및 산화아연은 고형분 기준으로 1:5~1:20 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 자외선 센서
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제2항에 있어서, 상기 단일벽 탄소나노튜브는 전기방전법(arc-discharge)을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 자외선 센서
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제1항에 있어서, 상기 단일벽 탄소나노튜브는 길이 5~20㎛ 및 지름 20~50 nm인 것을 특징으로 하는 자외선 센서
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제1항에 있어서, 상기 산화아연은 평균입경(D50)이 0
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제1항에 있어서, 상기 자외선 센서에 인가된 광전류량이 36
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제2항에 있어서, 상기 자외선 감응부는 분광광도계를 이용하여 측정된 300~400nm 영역에서의 흡광도(absorbance)가 0
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산화아연(ZnO)을 제1 용매에 분산하여, 산화아연 분산액을 제조하는 단계; 상기 산화아연 분산액 및 단일벽 탄소나노튜브를 포함하는 제1 조성물을 제조하는 단계;상기 제1 조성물을 기판의 적어도 일부에 도포하는 단계;상기 제1 조성물이 도포된 기판을 열처리하여, 산화아연(ZnO)-단일벽 탄소나노튜브 복합체를 포함하는 자외선 감응부를 형성하는 단계; 및 상기 자외선 감응부의 양 단부에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 센서 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 산화아연은,아연 전구체 및 염기성 용액을 접촉하여, 혼합용액을 제조하는 단계;상기 혼합용액 중에서 상층액을 분리하여 제1 침전물을 수득하는 단계;상기 제1 침전물을 제2 용매에 분산하여, 분산액을 제조하는 단계; 및상기 분산액을 원심분리하여 제2 침전물을 수득하는 단계;를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 자외선 센서 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 조성물은 고형분 기준으로 상기 단일벽 탄소나노튜브 및 산화아연을 1:3~1:50 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 센서 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 열처리는 100~150℃ 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 자외선 센서 제조방법
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