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광소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020014890
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 하부 전극; 상기 하부 전극 상의 절연막; 상기 절연막 상의 상부 전극들; 및 상기 절연막 상에서, 상기 상부 전극들에 각각 인접하여 배치된 가변 전도도 패턴들 포함한다. 상기 상부 전극들은, 교번적으로 배열된 제1 및 제2 전극들을 포함하고, 상기 제1 전극들간의 피치는, 상기 제2 전극들간의 피치와 동일하며, 서로 인접하는 상기 제1 전극들 사이에 상기 제2 전극이 배치되고, 상기 서로 인접하는 제1 전극들 중 하나와 상기 제2 전극간의 거리는 제1 거리이고, 상기 서로 인접하는 제1 전극들 중 다른 하나와 상기 제2 전극간의 거리는 제2 거리이며, 상기 제2 거리는 상기 제1 거리와 다르다.
Int. CL G02B 26/00 (2020.01.01) G02B 1/04 (2006.01.01)
CPC G02B 26/00(2013.01) G02B 26/00(2013.01)
출원번호/일자 1020190047778 (2019.04.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0124446 (2020.11.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장민석 대전 유성구
2 한상준 대전 유성구
3 김신호 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0421847-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극; 상기 하부 전극 상의 절연막;상기 절연막 상의 상부 전극들; 및상기 절연막 상에서, 상기 상부 전극들에 각각 인접하여 배치된 가변 전도도 패턴들 포함하되,상기 상부 전극들은, 교번적으로 배열된 제1 및 제2 전극들을 포함하고,상기 제1 전극들간의 피치는, 상기 제2 전극들간의 피치와 동일하며,서로 인접하는 상기 제1 전극들 사이에 상기 제2 전극이 배치되고,상기 서로 인접하는 제1 전극들 중 하나와 상기 제2 전극간의 거리는 제1 거리이고,상기 서로 인접하는 제1 전극들 중 다른 하나와 상기 제2 전극간의 거리는 제2 거리이며,상기 제2 거리는 상기 제1 거리와 다른 광소자
2 2
제1항에 있어서,가변 전도도 패턴들은 그래핀(graphene), 인듐 주석 산화물(ITO; Indium Tin Oxide) 또는 흑린(Black Phosphorus)을 포함하는 광소자
3 3
제1항에 있어서,상기 가변 전도도 패턴들은, 상기 제1 및 제2 전극들에 각각 인접하여 배치된 제1 및 제2 가변 전도도 패턴들을 포함하는 광소자
4 4
제3항에 있어서,상기 제1 가변 전도도 패턴들 각각은, 상기 제1 전극의 일 측에 직접 접하고,상기 제2 가변 전도도 패턴들 각각은, 상기 제2 전극의 일 측에 직접 접하는 광소자
5 5
제4항에 있어서,상기 제1 가변 전도도 패턴들 각각은, 그와 인접하는 상기 제2 전극과 이격되고,상기 제2 가변 전도도 패턴들 각각은, 그와 인접하는 상기 제1 전극과 이격되는 광소자
6 6
제3항에 있어서,상기 제1 가변 전도도 패턴들 각각은, 그와 인접하는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 모두와 이격되고,상기 제2 가변 전도도 패턴들 각각은, 그와 인접하는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 모두와 이격되는 광소자
7 7
제3항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극들은, 서로 동일한 제1 폭을 갖고,각각의 상기 제1 가변 전도도 패턴들은, 제2 폭을 가지며,각각의 상기 제2 가변 전도도 패턴들은, 상기 제2 폭과 다른 제3 폭을 갖는 광소자
8 8
제1항에 있어서,상기 하부 전극은 평판 형태를 갖는 광소자
9 9
제1항에 있어서,상기 상부 전극들은 제1 방향으로 연장되는 라인 형태를 갖고,상기 가변 전도도 패턴들은, 상기 상부 전극들을 따라 상기 제1 방향으로 연장되는 광소자
10 10
제1항에 있어서,상기 제1 전극들에 공통적으로 제1 전압이 인가되고,상기 제2 전극들에 공통적으로 제2 전압이 인가되며,상기 제2 전압은 상기 제1 전압과 다른 광소자
11 11
하부 전극; 상기 하부 전극 상의 절연막;상기 절연막 상의 상부 전극들; 및상기 절연막 상에서, 상기 상부 전극들에 각각 인접하여 배치된 가변 전도도 패턴들 포함하되,상기 상부 전극들은, 교번적으로 배열된 제1 및 제2 전극들을 포함하고,상기 가변 전도도 패턴들은, 상기 제1 및 제2 전극들에 각각 인접하여 배치된 제1 및 제2 가변 전도도 패턴들을 포함하며,상기 제1 및 제2 전극들은, 서로 동일한 제1 폭을 갖고,각각의 상기 제1 가변 전도도 패턴들은 제2 폭을 가지며,각각의 상기 제2 가변 전도도 패턴들은, 상기 제2 폭과 다른 제3 폭을 갖는 광소자
12 12
제11항에 있어서,서로 인접하는 상기 제1 및 제2 전극들은, 상기 제1 가변 전도도 패턴을 사이에 두고 제1 거리로 이격되고,서로 인접하는 상기 제1 및 제2 전극들은, 상기 제2 가변 전도도 패턴을 사이에 두고 제2 거리로 이격되며,상기 제1 거리와 상기 제2 거리는 서로 다른 광소자
13 13
제11항에 있어서,상기 제1 전극들간의 피치는, 상기 제2 전극들간의 피치와 동일한 광소자
14 14
제11항에 있어서,상기 상부 전극들은 제1 방향으로 연장되는 라인 형태를 갖고,상기 가변 전도도 패턴들은, 상기 상부 전극들을 따라 상기 제1 방향으로 연장되는 광소자
15 15
제14항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극들은, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 교번적으로 배열되는 광소자
16 16
하부 전극; 상기 하부 전극 상의 절연막;상기 절연막 상의 상부 전극들; 및상기 절연막 상에서, 상기 상부 전극들에 각각 인접하여 배치된 가변 전도도 패턴들 포함하되,상기 상부 전극들은, 교번적으로 배열된 제1 및 제2 전극들을 포함하고,상기 가변 전도도 패턴들은, 상기 제1 및 제2 전극들에 각각 인접하여 배치된 제1 및 제2 가변 전도도 패턴들을 포함하며,서로 인접하는 상기 제1 및 제2 전극들은, 상기 제1 가변 전도도 패턴을 사이에 두고 제1 거리로 이격되고,서로 인접하는 상기 제1 및 제2 전극들은, 상기 제2 가변 전도도 패턴을 사이에 두고 제2 거리로 이격되며,상기 제2 거리는 상기 제1 거리와 다른 광소자
17 17
제16항에 있어서,상기 제1 전극들간의 피치는, 상기 제2 전극들간의 피치와 동일한 광소자
18 18
제16항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극들은, 서로 동일한 제1 폭을 갖고,각각의 상기 제1 가변 전도도 패턴들은, 제2 폭을 가지며,각각의 상기 제2 가변 전도도 패턴들은, 상기 제2 폭과 다른 제3 폭을 갖는 광소자
19 19
제16항에 있어서,상기 상부 전극들은 제1 방향으로 연장되는 라인 형태를 갖고,상기 가변 전도도 패턴들은, 상기 상부 전극들을 따라 상기 제1 방향으로 연장되는 광소자
20 20
제16항에 있어서,상기 제1 가변 전도도 패턴들 각각은, 상기 제1 전극의 일 측에 직접 접하고,상기 제2 가변 전도도 패턴들 각각은, 상기 제2 전극의 일 측에 직접 접하는 광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업체 삼성미래기술육성센터 산업체연구개발사업 중적외선 고해상도 파면 제어를 위한 카멜레온 메타표면