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제1 기판, 제1 전극들, 및 제1 패시베이션층을 포함하는 제1 센서; 및제1 센서 상에 제공되고, 제2 기판, 제2 전극들, 및 제2 패시베이션층을 포함하는 제2 센서를 포함하되, 상기 제2 센서는 제1 센서와 화학 결합에 의해 연결되는 신경 센싱 소자
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제 1항에 있어서, 상기 제1 전극들 및 상기 제1 패시베이션층은 상기 제1 기판의 상면 상에 배치되고, 상기 제2 기판은 상기 제1 패시베이션층의 상면 상에 배치되며, 상기 화학 결합은 상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 기판 사이에 제공되는 신경 센싱 소자
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3 |
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제 2항에 있어서,상기 제1 패시베이션층은 불소계 폴리머를 포함하고, 상기 제2 기판은 불소계 폴리머를 포함하는 신경 센싱 소자
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제 2항에 있어서,상기 제1 기판은 평면적 관점에서 제1 영역 및 제2 영역을 가지되, 상기 제2 센서는 상기 제1 기판의 상기 제2 영역과 평면적 관점에서 중첩되고, 상기 제2 전극들은 상기 제1 기판의 상기 제1 영역 상에 배치되는 신경 센싱 소자
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5
제 1항에 있어서, 상기 제1 센서는 신경 전극 센서이고, 상기 제2 센서는 화학 센서 또는 물리 센서인 신경 센싱 소자
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6
제 1항에 있어서,상기 제2 센서 상에 제공되고, 상기 제2 센서와 화학 결합에 의해 연결되는 제3 센서를 더 포함하되, 상기 제3 센서는 제3 기판, 제3 전극들 및 제3 패시베이션층을 포함하는 신경 센싱 소자
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7 |
7
제 1항에 있어서,상기 화학 결합은 상기 공유 결합 또는 가교 결합을 포함하는 신경 센싱 소자
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8
제 1항에 있어서,상기 제2 기판의 하면은 상기 제1 기판의 상면과 물리적으로 접촉하고, 상기 화학 결합은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 제공되는 신경 센싱 소자
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9
제 8항에 있어서,상기 제1 전극들 및 상기 제1 패시베이션층은 상기 제1 기판의 하면 상에 제공되는 신경 센싱 소자
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10
제 8항에 있어서, 상기 제1 기판은 불소계 폴리머를 포함하고, 상기 제2 기판은 불소계 폴리머를 포함하는 신경 센싱 소자
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제1 센서의 제1 면 상에 제1 플라즈마 처리 공정을 수행하는 것; 제2 센서의 제2 면 상에 제2 플라즈마 처리 공정을 수행하는 것; 및 상기 제1 센서의 상기 제1 면 및 상기 제2 센서의 상기 제2 면 사이에 화학 결합을 형성하는 것을 포함하고, 상기 제1 센서는 제1 기판, 제1 전극들, 및 제1 패시베이션층을 포함하고, 상기 제2 센서는 제2 기판, 제2 전극들, 및 제2 패시베이션층을 포함하는 신경 센싱 소자 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 제1 플라즈마 처리 공정에 의해 상기 제1 센서의 상기 제1 면 상에 제1 라디칼들이 형성되고, 상기 제2 플라즈마 처리 공정에 의해 상기 제2 센서의 상기 제2 면 상에 제2 라디칼들이 형성되고,상기 화학 결합은 상기 제1 라디칼 및 상기 제2 라디칼의 반응에 의해 형성되는 신경 센싱 소자 제조 방법
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13
제 11항에 있어서, 상기 화학 결합을 형성하는 것은 열압착 공정에 의해 수행되는 신경 센싱 소자 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 제2 기판이 상기 제1 패시베이션층을 향하도록 상기 제2 센서를 상기 제1 센서 상에 배치하는 것을 더 포함하되, 상기 화학 결합은 상기 제2 기판 및 상기 제1 패시베이션층 사이에 형성되는 신경 센싱 소자 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 제2 기판이 상기 제1 기판을 향하도록 상기 제2 센서를 상기 제1 센서 상에 배치하는 것을 더 포함하되,상기 화학 결합은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 형성되고, 상기 제1 전극들 및 상기 제1 패시베이션층은 상기 제1 기판의 하면 상에 제공되는 신경 센싱 소자 제조 방법
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16
제1 기판, 제1 전극들, 및 제1 패시베이션층을 포함하는 제1 센서; 제1 센서 상에 제공되고, 제2 기판, 제2 전극들, 및 제2 패시베이션층을 포함하는 제2 센서; 및상기 제1 센서 및 상기 제2 센서 사이에 개재된 필름을 포함하되, 상기 제1 센서는 상기 필름과 제1 화학 결합에 의해 연결되고, 상기 제2 센서는 상기 필름과 제2 화학 결합에 의해 연결되는 신경 센싱 소자
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제 16항에 있어서상기 필름은 포토레지스트 물질 또는 perfluoropolyether(PFPE)를 포함하는 신경 센싱 소자
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제 16항에 있어서, 상기 제1 화학 결합은 가교 결합 또는 공유 결합을 포함하고,상기 제2 화학 결합은 가교 결합 또는 공유 결합을 포함하는 신경 센싱 소자
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19
제 16항에 있어서, 상기 제1 전극들 및 상기 제1 패시베이션층은 상기 제1 기판의 상면 상에 배치되고, 상기 제2 기판은 상기 제1 패시베이션층의 상면 상에 배치되고, 상기 필름은 상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 기판 사이에 개재되는 신경 센싱 소자
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20
제 16항에 있어서상기 제1 전극들 및 상기 제1 패시베이션층은 상기 제1 기판의 하면 상에 배치되고, 상기 필름은 상기 제1 기판의 상면 및 상기 제2 기판의 하면 사이에 개재되고, 상기 제1 화학 결합은 상기 제1 기판 및 상기 필름 사이에 제공되는 신경 센싱 소자
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