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그라파이트 기판을 이용한 태양전지에 있어서,그루빙 패턴이 형성된 그라파이트 기판;상기 그루빙 패턴이 형성된 그라파이트 기판 상에 배치된 배리어막;상기 배리어막 상에 배치된 제1전극;상기 제1전극상에 배치된 P/N반도체층; 및상기 P/N반도체층 상에 배치된 제2전극을 포함하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제1전극은상기 배리어막 상에 배치된 제1투명도전막;상기 제1투명도전막 상에 배치된 금속 메시; 및상기 금속 메시 상에 배치된 제2투명도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제1전극은상기 배리어막 상에 배치된 금속 메시; 및상기 금속 메시 상에 배치된 제2투명도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 P/M반도체층은 제1 도전성 타입의 제1반도체층; 및상기 제1반도체상에 배치되며 상기 제1반도체층과 반대되는 제2도전성 타입의 제2반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제4항에 있어서, 상기 제1 도전성 타입은 N형 도전성 타입이며, 상기 제1반도체층은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나의 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제4항에 있어서, 상기 제2 도전성 타입은 P형 도전성 타입이며, 상기 제2반도체층은 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 중 적어도 하나의 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제4항에 있어서, 상기 제1 도전성 타입은 P형 도전성 타입이며, 상기 제2반도체층은 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 중 적어도 하나의 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제4항에 있어서, 상기 제2 도전성 타입은 N형 도전성 타입이며, 상기 제1반도체층은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나의 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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그라파이트 기판을 이용한 태양 전지의 제조 방법에 있어서, 그라파이트 기판을 준비하는 과정;상기 그라파이트 기판 표면에 그루빙 패턴을 형성하는 과정;상기 그루빙 패턴이 형성된 그라파이트 기판 상에 배리어막을 형성하는 과정;상기 배리어막 상에 제1전극을 형성하는 과정;상기 제1전극 상에 P/N반도체층을 형성하는 과정; 및상기 P/N반도체층 상에 제2전극을 형성하는 과정을 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 그라파이트 기판 상에 그루빙 패턴을 형성하는 과정은 레이저를 이용하여 상기 그라파이트 기판 상에 그루빙 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제1전극을 형성하는 과정은 상기 제1배리어막 상에 제1투명도전막을 형성하는 과정;상기 제1투명도전막 상에 금속 메시를 형성하는 과정; 및상기 금속 메시 상에 제2투명도전막을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제1전극을 형성하는 과정은 상기 제1배리어막 상에 금속 메시를 형성하는 과정; 및상기 금속 메시 상에 제2투명도전막을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제11항 혹은 제12항에 있어서, 상기 금속 메시는 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 중 하나 또는 적어도 2개의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속성 물질에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 P/N반도체층을 형성하는 과정은상기 제1전극 상에 제1 도전성 타입의 불순물을 포함하는 제1실리콘층을 형성하고 상기 제1실리콘층을 결정화시켜 제1반도체층을 형성하는 과정; 및상기 제1반도체층 상에 상기 제1도전성 타입과 반대가 되는 제2 도전성 타입의 불순물을 포함하는 실리콘층을 형성하고, 상기 실리콘층을 결정화시켜 제2반도체층을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 P/N반도체층을 형성하는 과정은상기 제1전극 상에 제1 도전성 타입의 불순물을 포함하는 실리콘층을 형성하되 증착시 SiH4/H2가스 비율을 조절하여 미세 결정 형태로 증착하는 과정; 및상기 제1반도체층 상에 상기 제1도전성 타입과 반대가 되는 제2 도전성 타입의 불순물을 포함하는 실리콘층을 형성하되, 증착시 SiH4/H2가스 비율을 조절하여 미세 결정 형태로 증착하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 제1 도전성 타입은 P형 도전성 타입이며, 상기 제1반도체층은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 중 적어도 하나의 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 제2 도전성 타입은 N형 도전성 타입이며, 상기 제2반도체층은 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 중 적어도 하나의 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제2전극을 형성하는 과정은상기 P/N반도체층 상에 상기 배리어막 상에 제3투명도전막을 형성하는 과정; 및상기 제3투명도전막 상에 패턴화된 은 전극을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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