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기판에 하부전극을 형성하는 단계(1); 상기 하부전극 위에 CIGS 광흡수층을 형성하는 단계(2); 상기 CIGS 광흡수층 위에 In2S3 버퍼층을 형성하는 단계(3); 상기 In2S3 버퍼층 위에 CdS 버퍼층을 형성하는 단계(4); 및 상기 CdS 버퍼층 위에 상부전극을 포함하는 나머지 층을 형성하는 단계(5)를 포함하는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지 제조 방법
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제1항에서, 상기 CIGS 광흡수층은 금속전구체-셀렌화 공정 또는 3단계 동시증발법에 의해 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지 제조 방법
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제1항에서, 상기 In2S3 버퍼층은 CdS 버퍼층보다 두께가 얇게 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지 제조 방법
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제1항에서, 상기 In2S3은 CBD(Chemical Bath Deposition)에 의해 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지 제조 방법
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제1항에서, 상기 CdS는 CBD(Chemical Bath Deposition)에 의해 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지 제조 방법
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CIGS 광흡수층 및 CdS 버퍼층을 포함하는 CIGS 박막태양전지에 있어서, CIGS 광흡수층과 CdS 버퍼층 사이에 In2S3 버퍼층을 더 구비하는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지
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제6항에서, 상기 CIGS 광흡수층은 금속전구체-셀렌화 공정 또는 3단계 동시증발법에 의해 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지
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8
제6항에서, 상기 In2S3 이중버퍼층은 CdS 버퍼층보다 두께가 얇게 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지
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제6항에서, 상기 In2S3은 CBD(Chemical Bath Deposition)에 의해 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지
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10
제6항에서, 상기 CdS는 CBD(Chemical Bath Deposition)에 의해 형성되는, CIGS 광흡수층의 핀홀 감소 효과를 갖는 CIGS 박막태양전지
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