| 1 |
1
지지 기판의 표면 상에 자기조립단분자막 패턴을 형성하는 단계;상기 자기조립단분자막 패턴이 형성된 기판 상에 양자점층을 형성하는 단계;상기 양자점층을 엘라스토머 블록 표면 상에 전사하는 단계; 및상기 전사된 양자점층을 소자 기판에 전사 프린팅하여, 상기 소자 기판 상에 양자점층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 발광소자 제조방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 자기조립단분자막 패턴을 형성하는 단계는:지지 기판 표면 상에 제 1 희생층을 형성하는 단계;상기 제 1 희생층 상에 제 2 희생층을 형성하고, 상기 제 2 희생층을 선택적으로 제거하여 제 2 희생층 패턴을 형성하는 단계;상기 제 2 희생층 패턴을 마스크로 이용하고, 상기 제 1 희생층을 선택적으로 제거하여 제 1 희생층 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 희생층 패턴과 제 2 희생층 패턴을 포함하는 지지 기판의 표면을 자기조립단분자 용액에 침지시키는 단계; 및상기 제 1 희생층 패턴 및 제 2 희생층 패턴을 제거하여 자기조립단분자막 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 양자점 발광소자 제조방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 자기조립단분자막은 트리클로로실란기(-SiCl3)를 가지는 옥타데실트라이클로로실레인(Octadecyltrichlorosilane, OTS)을 포함하고,상기 자기조립단분자막은 상기 트리클로로실란기(-SiCl3)가 지지 기판 표면의 하이드록시기(-OH)와 축합반응을 통해 화학적으로 결합하여 형성되는 양자점 발광소자 제조방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 양자점층을 형성하는 단계에서:상기 양자점층은 용액 공정에 의해 형성되고, 지지 기판의 표면 상에 형성되는 제 1 양자점층 및 상기 자기조립단분자막 패턴의 표면 상에 형성되는 제 2 양자점층을 포함하는 양자점 발광소자 제조방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 제 1 양자점층 및 제 2 양자점층은 각각 지지 기판 표면 및 상기 자기조립단분자막 패턴의 표면 상에 물리적으로 흡착되는 양자점 발광소자 제조방법
|
| 6 |
6
제 4 항에 있어서,상기 전사하는 단계는:상기 엘라스토머 블록을 상기 양자점층에 접촉시켜 가압하는 단계; 및상기 엘라스토머 블록을 분리시켜 상기 엘라스토머 블록의 표면 상에 상기 제 2 양자점층을 전사하는 단계를 더 포함하는 양자점 발광소자 제조방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 엘라스토머 블록의 표면 에너지는 상기 자기조립단분자막의 표면 에너지보다 크고,상기 지지 기판의 표면 에너지는 상기 엘라스토머 블록의 표면 에너지보다 큰 양자점 발광소자 제조방법
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 엘라스토머 블록은 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 포함하는 양자점 발광소자 제조방법
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서,상기 양자점층에 접촉시켜 가압하는 단계는:상기 양자점층에 균일한 압력이 가해지도록 하는 양자점 발광소자 제조방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 양자점층은 양자점을 포함하는 콜로이드 나노결정 물질을 포함하고,상기 양자점은 CdSe/ZnS 양자점을 포함하는 양자점 발광소자 제조방법
|
