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슈퍼커패시터용 전극활물질의 제조방법, 상기 전극활물질을 이용한 고출력 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법 및 고출력 슈퍼커패시터

  • 기술번호 : KST2020015045
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 전극활물질을 준비하는 단계와, 상기 전극활물질을 반응기 내에 장입하는 단계와, 상기 반응기 내로 FNO3, FNO2 및 FCN으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 가스를 흘려주면서 상기 전극활물질을 열처리하는 단계 및 열처리된 결과물을 냉각하여 질소와 불소가 도입된 전극활물질을 수득하는 단계를 포함하는 전극활물질의 제조방법, 상기 전극활물질을 이용한 고출력 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법 및 고출력 슈퍼커패시터에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 전극활물질에 질소와 불소가 도입되게 함으로써, 전극활물질의 전기전도도를 향상시켜 슈퍼커패시터의 전극활물질로 사용할 경우 전해액의 전하 전달을 용이하게 해줄 수 있고 슈퍼커패시터의 율 특성이 향상될 수 있다.
Int. CL H01G 11/30 (2013.01.01) H01G 11/26 (2013.01.01) H01G 11/86 (2013.01.01)
CPC H01G 11/30(2013.01) H01G 11/30(2013.01) H01G 11/30(2013.01)
출원번호/일자 1020190161188 (2019.12.06)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-2172610-0000 (2020.10.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20201102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.12.06)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노광철 경상남도 진주시 소호로**번길 **, ***
2 김주연 경상남도 진주시 소호로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2019-1261233-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0155886-13
4 등록결정서
Decision to grant
2020.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0722741-78
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번호 청구항
1 1
전극활물질을 준비하는 단계;상기 전극활물질을 반응기 내에 장입하는 단계;상기 반응기 내로 FNO3, FNO2 및 FCN으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 가스를 흘려주면서 상기 전극활물질을 열처리하는 단계; 및열처리된 결과물을 냉각하여 질소와 불소가 도입된 전극활물질을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극활물질의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 전극활물질은 그래핀(Graphene), 탄소나노튜브(CNT; Carbon nanotube) 및 활성탄(Activated carbon)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극활물질의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 열처리는 900∼1500℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극활물질의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 반응기는 서스 재질의 반응기인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극활물질의 제조방법
5 5
전극활물질을 준비하는 단계;상기 전극활물질을 반응기 내에 장입하는 단계;상기 반응기 내로 FNO3, FNO2 및 FCN으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 가스를 흘려주면서 상기 전극활물질을 열처리하는 단계; 열처리된 결과물을 냉각하여 질소와 불소가 도입된 전극활물질을 수득하는 단계;상기 질소와 불소가 도입된 전극활물질, 도전재, 바인더 및 분산매를 혼합하여 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 제조하는 단계; 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 압착하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 금속 호일이나 집전체에 코팅하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 롤러로 밀어 시트 상태로 만들고 금속 호일이나 집전체에 붙여서 전극 형태로 형성하는 단계; 및전극 형태로 형성된 결과물을 건조하여 슈퍼커패시터용 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 전극활물질은 그래핀(Graphene), 탄소나노튜브(CNT; Carbon nanotube) 및 활성탄(Activated carbon)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 열처리는 900∼1500℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 반응기는 서스 재질의 반응기인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 전극활물질 100중량부에 대하여 도전재 0
10 10
제5항에 기재된 슈퍼커패시터용 전극으로 이루어진 양극; 제5항에 기재된 슈퍼커패시터용 전극으로 이루어진 음극; 상기 양극과 음극 사이에 배치되고 상기 양극과 상기 음극의 단락을 방지하기 위한 분리막; 상기 양극, 상기 분리막 및 상기 음극이 내부에 배치되고 전해액이 주입된 금속 캡; 및상기 금속 캡을 밀봉하기 위한 가스켓을 포함하는 슈퍼커패시터
11 11
단락을 방지하기 위한 제1 분리막과, 제5항에 기재된 슈퍼커패시터용 전극으로 이루어진 양극과, 상기 양극과 음극의 단락을 방지하기 위한 제2 분리막과, 제5항에 기재된 슈퍼커패시터용 전극으로 이루어진 음극이, 순차적으로 적층되어 코일링된 롤 형태를 이루는 권취소자; 상기 음극에 연결된 제1 리드선;상기 양극에 연결된 제2 리드선; 상기 권취소자를 수용하는 금속캡; 및상기 금속 캡을 밀봉하기 위한 실링 고무를 포함하며, 상기 권취소자는 전해액에 함침되어 있는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)비츠로셀 소재부품기술개발-소재부품패키지형 초고사양(RC 시정수 0.38F급) 슈퍼커패시터 개발 및 고출력 모듈 개발