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기판 상에 구비된 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 구비된 n형 반도체층; 및상기 n형 반도체층 상에 구비된 방사성 동위원소 함유층;을 포함하는 것인 베타전지
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청구항 1에 있어서,상기 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층의 적어도 하나는 질화갈륨(GaN)을 포함하는 것인 베타전지
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청구항 1에 있어서,상기 n형 반도체층의 두께는 20 내지 90 ㎚인 것인 베타전지
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청구항 1에 있어서,상기 p형 반도체층의 두께는 150 내지 1,000 ㎚인 것인 베타전지
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청구항 1에 있어서,상기 방사성 동위원소는 니켈(Ni)-63, 스트론튬(Sr)-90, 프로메튬(Pm)-147 및 트리튬(H)-3 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 베타전지
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6
청구항 1에 있어서,상기 p형 반도체층과 상기 n형 반도체층 사이에 진성 반도체층(intrinsic semiconductor layer)을 더 포함하는 것인 베타전지
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7
청구항 6에 있어서,상기 진성 반도체층은 질화갈륨(GaN)을 포함하는 것인 베타전지
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청구항 6에 있어서,상기 진성 반도체층의 두께는 100 내지 900 ㎚인 것인 베타전지
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청구항 1에 있어서,상기 p형 반도체층에 전기적으로 연결된 p형 전극; 및상기 n형 반도체층에 전기적으로 연결된 n형 전극을 더 포함하는 것인 베타전지
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10
기판 상에 p형 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 반도체층 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 n형 반도체층 상에 방사성 동위원소 함유층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인 베타전지의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층의 적어도 하나는 질화갈륨(GaN)을 포함하는 것인 베타전지의 제조 방법
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12
청구항 10에 있어서,상기 n형 반도체층의 두께는 20 내지 90 ㎚인 것인 베타전지의 제조 방법
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13
청구항 10에 있어서,상기 p형 반도체층의 두께는 150 내지 1,000 ㎚인 것인 베타전지의 제조 방법
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14
청구항 10에 있어서,상기 방사성 동위원소는 니켈(Ni)-63, 스트론튬(Sr)-90, 프로메튬(Pm)-147 및 트리튬(H)-3 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 베타전지의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 p형 반도체층을 형성하는 단계 후 상기 n형 반도체층을 형성하는 단계 이전에, 상기 p형 반도체층 상에 진성 반도체층(intrinsic semiconductor layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 베타전지의 제조 방법
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청구항 15에 있어서,상기 진성 반도체층은 질화갈륨(GaN)을 포함하는 것인 베타전지의 제조 방법
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청구항 15에 있어서,상기 진성 반도체층의 두께는 100 내지 900 ㎚인 것인 베타전지의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 p형 반도체층에 전기적으로 연결된 p형 전극을 형성하는 단계; 및상기 n형 반도체 층에 전기적으로 연결된 n형 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 베타전지의 제조 방법
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