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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1전극 상에 제1아연층/제1구리층/제1주석층/제2 구리층/제2아연층/제3구리층/제2주석층 구조의 금속전구체층을 형성하는 단계;상기 금속전구체층을 황화 또는 셀렌화 기체 분위기 하에 열처리 하여 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 박막태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 플렉시블 기판으로 몰리브덴호일(Mo foil), 티타늄호일(Ti foil)또는 스텐리스강(Stainless steel)중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계와 상기 제1 전극을 형성하는 단계 사이에 상기 기판을 전처리 하는 단계를 더 포함하며, 상기 기판의 전처리는 불화암모늄(NF4F)용액과 불화수소산(HF)용액의 혼합용액으로 수행하는 것을 특징으로 하는 박막태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 알칼리금속층인 것을 특징으로 하는 박막태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전극의 두께는 5㎚ 내지 20㎚로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속전구체층은 스퍼터링증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 아연층 및 제2 아연층의 두께는 60㎚ 내지 310㎚이고,상기 제1 구리층, 제2 구리층 및 제3 구리층의 두께는 40㎚ 내지 220㎚이고,상기 제1 주석층 및 제2 주석층의 두께는 70㎚ 내지 370㎚로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속전구체층을 형성하는 단계에서, Cu/(Zn+Sn)의 원소비가 0
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제1항에 있어서,상기 광흡수층은 CZTS, CZTSe 또는 CZTSSe흡수층인 것을 특징으로 하는 박막태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 광흡수층의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 광흡수층을 형성하는 단계와 상기 제2 전극을 형성하는 단계 사이에,상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 박막태양전지의 제조방법
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제1항에 따른 제조방법에 따라 제조된 박막태양전지
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