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자성센서층;상기 자성센서 상에 형성된 엘라스토머층; 및상기 엘라스토머층 상에 형성된 자석층;을 포함하는 유연 압력센서
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제 1항에 있어서,상기 유연 압력센서는 총 두께가 200 내지 1,100 ㎛인, 유연 압력센서
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제 2항에 있어서,상기 유연 압력센서는 1 내지 200 ㎚ 두께의 자성센서층, 10 내지 500 ㎛ 두께의 엘라스토머층, 및 10 내지 500 ㎛ 두께의 자석층을 포함하는 것인, 유연 압력센서
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제 1항에 있어서,상기 자성센서층은 서치 코일(Search coil) 센서, 플럭스 게이트(Flux gate) 센서, 홀 효과(Hall effect) 센서, 평면 홀 저항(PHR, Plannar hall resistance) 센서, 정상 자기저항(OMR, Ordinary magneto-resistance) 센서, 이방성 자기저항(AMR, Anisotopic magneto-resistance) 센서, 거대 자기저항(GMR, Giant magneto-resistance) 센서, 초거대 자기저항(Collosal magneto-resistance) 센서, 터널링 자기저항(TMR, Tunneling magneto-resistance) 센서 및 초전도양자간섭계(SQUID, Superconducting quantum interference device) 센서로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인, 유연 압력센서
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제 1항에 있어서,상기 엘라스토머층은 영률이 0
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제 5항에 있어서,상기 엘라스토머는 실리콘계 고분자, 우레탄계 고분자, 스티렌계 고분자 및 올레핀계 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것인, 유연 압력센서
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제 6항에 있어서,상기 엘라스토머는 실리콘계 기초 고분자(base polymer)를 경화시킨 실리콘계 고분자인, 유연 압력센서
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a) 희생기판 상에 자성센서층을 형성하는 단계;b) 상기 자성센서층 상에 엘라스토머층을 형성하는 단계; 및 c) 상기 엘라스토머층 상에 자석을 부착하는 단계;를 포함하는 유연 압력센서의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 a)단계는,ⅰ) 희생기판 상에 자성센서 영역이 노출되도록 패턴화된 마스크를 형성하는 단계; 및 ⅱ) 상기 마스크에 의해 노출된 자성센서 영역에 자성층을 증착하는 단계;를 포함하는 것인, 유연 압력센서의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 a)단계의 ⅱ)단계는, 상기 마스크에 의해 노출된 자성센서 영역에 제1언더레이어층을 형성하는 단계; 상기 제1언더레이어층 상에 반강자성 물질을 증착하여 반강자성층을 형성하는 단계; 상기 반강자성층 상에 강자성 물질를 증착하여 강자성층을 형성하는 단계; 및 상기 강자성층 상에 제2언더레이어층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 유연 압력센서의 제조방법
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