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제1활성금속 기재(substance); 및 나노미터 오더(nanometer order) 내지 101 나노미터 오더(101 nanometer order)의 직경을 갖는 미립자들이 불규칙적으로 응집되되, 불규칙한 응집에 의해 다공성을 갖는 표면층;을 포함하며, 상기 미립자는 제2활성금속을 함유하는 수산화물인 산소발생반응 전극
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제 1항에 있어서,상기 표면층은 3가의 제2활성금속 및 4가의 제2활성금속을 모두 함유하며, 제2활성금속의 X선 광전자 분광 분석 2P3/2 스펙트럼으로부터 산출된 4가의 제2활성금속/3가의 제2활성금속의 원자비(atomic ratio)가 0
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제 2항에 있어서,상기 제1활성금속과 제2활성금속 중 하나 이상 선택되는 금속을 M으로 하여, 산소의 X-선 광전자 분광 분석 O 1s 스펙트럼으로부터 산출된 M-OH/M-O의 비는 5 이상인 산소발생반응 전극
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제 1항에 있어서,상기 제1활성금속과 제2활성금속간의 표준환원전위차에 의해 발생하는 제1활성금속의 산화 및 제2활성금속의 환원에 의해, 상기 표면층이 상기 제1활성금속 기재 표면에 직접적(in-situ)으로 형성된 산소발생반응 전극
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제 1항에 있어서,X선 광전자 분광 분석법(XPS)에 의해 측정되는, 제1활성금속, 제2활성금속 및 산소간의 원소 조성(atomic %)에서 상기 제2활성금속의 조성은 3
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제 1항에 있어서,상기 제1활성금속 기재는 제1활성금속의 폼(foam), 박(film), 메쉬(mesh), 펠트(felt) 또는 다공성 박(perforated film)인 산소발생반응 전극
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제 1항에 있어서,상기 미립자는 비정질(amorphous)인 산소발생반응 전극
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제 1항에 있어서,Cu Kα를 이용한 X-선 회절 패턴 상, 제1활성금속 유래 회절피크 이외에, 2θ 21 내지 24˚ 영역에 회절피크가 위치하는 산소발생반응 전극
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1활성금속은 Ni이며, 상기 제2활성금속은 Fe, Mo 또는 Fe와 Mo인 산소발생반응 전극
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제 9항에 있어서,상기 산소발생반응 전극은 10mA/cm2 전류밀도 기준, 250mV 이하의 과전압을 갖는 산소발생반응 전극
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제 9항에 있어서,상기 산소발생반응 전극은 84mV/decade 이하의 타펠 기울기를 갖는 산소발생반응 전극
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제 9항에 있어서,순환 전압전류법에 의해 산출되는 상기 산소발생반응 전극의 이중층 캐패시턴스값은 1
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따른 산소발생반응 전극을 포함하는 전기화학적 물분해 셀을 포함하는 장치
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제 13항에 있어서,상기 전기화학적 물분해 셀과 직렬 연결된 태양전지를 더 포함하는 장치
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제1활성금속;과 제1활성금속보다 높은 표준환원전위를 갖는 제2활성금속의 전구체, 무기산 및 과산화수소를 함유하는 반응액;을 접촉시키는 단계;를 포함하는 산소발생반응 전극의 제조방법
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제 15항에 있어서,상기 반응액에서 상기 무기산과 과산화수소가 차지하는 부피분율은 0
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제 15항에 있어서,상기 무기산 : 과산화수소의 부피비는 0
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제 15항에 있어서,상기 무기산은 황산을 포함하는 산소발생반응 전극의 제조방법
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