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투명 황화주석 박막의 제조방법으로서,챔버 내에 황화주석(IV)을 포함하는 타겟물질과 처리해야할 제1기판을 배치하고, 챔버내에 희가스를 도입하고, 상기 타겟물질에 전력을 인가하여 스퍼터링에 의하여 상기 제1기판의 표면에 황화주석층을 성장시키는 스퍼터링 공정을 통해 소스물질을 제조하는 단계;상기 소스물질을 배치하는 단계;상기 소스물질의 상측에 상기 소스물질을 성막할 제2기판을 배치하는 단계; 및상기 소스물질을 가열하여 상기 제2기판의 상기 소스물질을 바라보는 측의 일면에 웨이퍼 스케일의 2D 황화주석 박막을 트랜스퍼하여 성막하는 가열성막단계;를 포함하고,가열성막단계에서는 상기 소스물질과 제2기판 사이의 거리를 0 내지 4mm 사이로 유지하는, 투명 황화주석 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 가열성막단계는 100°C이상 600°C 이하의 범위의 기설정된 온도로 가열하는 단계를 포함하는, 투명 황화주석 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 가열성막단계는 300°C이상 500°C 이하의 범위의 기설정된 온도로 가열하는 단계를 포함하는, 투명 황화주석 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 가열성막단계는,실온에서 점진적으로 가열온도를 기설정된 온도 범위로 상승하는 단계;상기 기설정된 온도 범위로 유지하면서 가열을 수행하는 단계; 및점진적으로 상기 기설정된 온도범위에서 가열온도를 하강하는 단계;를 포함하는, 투명 황화주석 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 가열성막단계에서는, 상기 소스물질 및 상기 제2기판의 상기 소스물질이 성막되는 면 사이의 공간은 10-3 Torr 내지 2 Torr 범위의 압력이 유지되는, 투명 황화주석 박막의 제조방법
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투명 황화주석 박막으로서,챔버 내에 황화주석(IV)을 포함하는 타겟물질과 처리해야할 제1기판을 배치하고, 챔버내에 희가스를 도입하고, 상기 타겟물질에 전력을 인가하여 스퍼터링에 의하여 상기 제1기판의 표면에 황화주석층을 성장시키는 스퍼터링 공정을 통해 소스물질을 제조하는 단계;상기 소스물질을 배치하는 단계;상기 소스물질의 상측에 상기 소스물질을 성막할 제2기판을 배치하는 단계; 및상기 소스물질을 가열하여 상기 제2기판의 상기 소스물질을 바라보는 측의 일면에 웨이퍼 스케일의 2D 황화주석 박막을 트랜스퍼하여 성막하는 가열성막단계;에 의하여 제조되고, 가열성막단계에서는 상기 소스물질과 제2기판 사이의 거리를 0 내지 4mm 사이로 유지하는, 투명 황화주석
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투명태양전지로서,제1전극층; 상기 제1전극층 위에 배치되는 정공수송층; 상기 정공수송층 위에 배치되는 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 배치되는 전자수송층; 및 제2전극층을 포함하고,상기 광흡수층은, 상기 정공수송층 혹은 전자수송층의 일면과 0 내지 4mm 사이의 간격으로 챔버 내에 황화주석(IV)을 포함하는 타겟물질과 처리해야할 제1기판을 배치하고, 챔버내에 희가스를 도입하고, 상기 타겟물질에 전력을 인가하여 스퍼터링에 의하여 상기 제1기판의 표면에 황화주석층을 성장시키는 스퍼터링 공정을 통해 제조된 소스물질을 배치하고, 상기 소스물질을 가열하여 상기 정공수송층 혹은 전자수송층의 일면에 트랜스퍼하여 성막된 웨이퍼 스케일의 2D 황화주석 박막을 포함하는, 투명태양전지
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청구항 7에 있어서,상기 정공수송층은 NiO를 포함하는 P-type 산화물 반도체를 포함하고,상기 전자수송층은 TiO2를 포함하는 N-type 산화물 반도체를 포함하고,상기 제1전극층은 투과성을 가지는 전도체를 포함하는 , 투명태양전지
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