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황화주석층의 제조방법으로서,챔버 내에 황화주석(IV)을 포함하는 타겟물질과 처리해야할 기판을 배치하고, 챔버내에 희가스를 도입하고, 상기 타겟물질에 전력을 인가하여 스퍼터링에 의하여 상기 기판의 표면에 황화주석층을 성장시키는 스퍼터링 공정을 포함하고,상기 기판의 하면에는 가열부가 배치되어, 상기 스퍼터링 공정 중에 기설정된 온도범위로 상기 기판을 가열하고,상기 스퍼터링 공정에서,챔버 내에서는 2SnS2 ---- 003e# 2SnS + S2 의 반응이 이루어지고,상기 S2는 지속적으로 상기 챔버 외부로 배출되고,상기 가열부의 가열온도를 제어함으로써, 상기 황화주석층의 SnS의 결정 성장방향을 제어하는, 황화주석층의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 스퍼터링공정은 RF 마그네트론 스퍼터링 공정에 해당하고, 상기 타겟물질에는 고주파 전력이 인가되고, 상기 타겟물질의 상기 기판측의 반대측에 자기장을 형성시킬 수 있는 자석부재를 배치하는, 황화주석층의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기설정된 온도범위는 100°C 내지 600°C인, 황화주석층의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 스퍼터링 공정 중에 상기 챔버내의 압력은 3 ~ 20 mTorr 범위로 유지되는, 황화주석층의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판의 표면에 성장된 황화주석층은 2차원(2D) 물질 구조를 가지는, 황화주석층의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판의 표면에 성장된 상기 황화주석층은 사방정형(orthorhombic) 구조를 가지고, 격자 파라미터 a는 2 ~ 6 이고, 격자 파라미터 b는 9 ~ 13 이고, 격자 파라미터 c는 2 내지 6 인, 황화주석층의 제조방법
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챔버 내에 황화주석(IV)을 포함하는 타겟물질과 처리해야할 기판을 배치하고, 챔버내에 희가스를 도입하고, 상기 타겟물질에 전력을 인가하여 스퍼터링에 의하여 상기 기판의 표면에 황화주석층을 성장시키는 스퍼터링 공정에 의하여 제조되는 황화주석층으로서,상기 기판의 하면에는 가열부가 배치되어, 상기 스퍼터링 공정 중에 기설정된 온도범위로 상기 기판을 가열하고,상기 스퍼터링 공정에서,챔버 내에서는 2SnS2 ---- 003e# 2SnS + S2 의 반응이 이루어지고,상기 S2는 지속적으로 상기 챔버 외부로 배출되고,상기 가열부의 가열온도를 제어함으로써, 상기 황화주석층의 SnS의 결정 성장방향을 제어하는, 황화주석층
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