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광전지소자로서,기판;상기 기판 위의 TCO층;상기 TCO층 위의 이산화티타늄층;상기 이산화티타늄층 위의 n-산화금속층;상기 n-산화금속층 위의 p-산화금속층; 및상기 p-산화금속층 위의 상부전극층; 을 포함하고,상기 이산화티타늄층 및 상기 n-산화금속층은 n-n 동형 헤테로 구조를 형성하고,상기 n-산화금속층 및 p-산화금속층은 헤테로 구조를 형성하고,상기 광전지소자는,500nm 내지 900nm 파장의 빛에 대해 40% 이상의 투과율을 갖는, 투명 광전지소자
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청구항 1에 있어서,상기 이산화티타늄층은,상기 광전지소자에 후면전계(Back Surface Field)를 제공하는, 투명 광전지소자
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청구항 1에 있어서,상기 이산화티타늄층은 5 내지 20nm의 두께를 갖고,상기 n-산화금속층은 100 내지 1000nm의 두께를 갖고,상기 p-산화금속층은 50 내지 500nm의 두께를 갖는, 투명 광전지소자
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청구항 1에 있어서,상기 상부전극층은,은나노와이어(AgNWs)를 스핀코팅 하여 생성되는, 투명 광전지소자
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청구항 1에 있어서,상기 이산화티타늄층은,리액티브 DC스퍼터링을 수행하여 티타늄 타겟을 증착 시켜 생성되는, 투명 광전지소자
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청구항 1에 있어서,상기 n-산화금속층은 산화아연(ZnO)을 포함하고,상기 p-산화금속층은 산화니켈(NiO)을 포함하는, 투명 광전지소자
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청구항 6에 있어서,상기 n-산화금속층은,RF스퍼터링을 수행하여 산화아연(ZnO) 타겟을 증착 시켜 생성되고,상기 p-산화금속층은,리액티브 DC스퍼터링을 수행하여 니켈(Ni) 타겟을 증착 시켜 생성되는, 투명 광전지소자
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