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전극 활물질 및 이를 포함하는 이차전지

  • 기술번호 : KST2020015309
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극 활물질 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 전극 활물질의 제조방법은 올리빈계 나트륨 인산화물의 탈나트륨화 반응을 수행하는 단계, 상기 탈나트륨화된 올리빈계 나트륨 인산화물에 전도성 고분자를 코팅하는 단계 및 상기 고분자가 코팅된 탈나트륨화된 올리빈계 나트륨 인산화물에 나트륨 삽입 반응을 수행하여 전도성 고분자-올리빈계 나트륨 인산화물 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 것으로, 본 발명에 따른 전극 활물질을 포함하는 이차전지는 우수한 고율 특성 및 고용량 특성 등의 전기화학적 특성이 향상되는 효과를 나타낼 수 있다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/58 (2015.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/054 (2010.01.01)
CPC H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01)
출원번호/일자 1020190029924 (2019.03.15)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0109991 (2020.09.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.03.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종순 서울특별시 용산구
2 고원석 경기도 성남시 수정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0268881-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.04.23 수리 (Accepted) 9-1-2020-0017649-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0619367-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1191540-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-1191539-27
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번호 청구항
1 1
올리빈계 나트륨 인산화물의 탈나트륨화 반응을 수행하는 단계;상기 탈나트륨화된 올리빈계 나트륨 인산화물에 전도성 고분자를 코팅하는 단계; 및상기 고분자가 코팅된 탈나트륨화된 올리빈계 나트륨 인산화물에 나트륨 삽입 반응을 수행하여 전도성 고분자-올리빈계 나트륨 인산화물 복합체를 형성하는 단계를 포함하는 것인 전극 활물질의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 올리빈계 나트륨 인산화물은 하기 화학식 1로 나타내어지는 전극 활물질의 제조방법:[화학식 1]NaxMy(PO4)a(P2O7)bXz상기 화학식 1에서, x는 1 내지 9의 정수이고,M은 전이 금속 또는 전이후 금속이고,y는 1 내지 4의 정수이고,a는 1 내지 3의 정수이고,b는 0 내지 4의 정수이고,X는 N, O, F 또는 S이고,z는 0 내지 4의 정수이다
3 3
청구항 1에 있어서,상기 탈나트륨화 반응은 산화제/유기 용매의 용액 내에 상기 올리빈계 나트륨 인산화물이 첨가되어 교반시키는 방법으로 수행되며,상기 산화제는 상기 올리빈계 나트륨 인산화물 몰수 대비 0
4 4
청구항 3에 있어서,상기 산화제는 NO2BF4를 이용하는 것인 전극 활물질의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 탈나트륨화 반응은 40℃ 내지 60℃의 온도 조건 하에서 수행되는 것인 전극 활물질의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리페닐렌(polyphenylene),폴리(p-페닐렌 설파이드)(polyphenylene sulfide), 폴리파라페닐렌설파이드(polyphenylenesulfide), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아세틸렌(polyacethylene), 폴리 3 알킬 티오펜(poly(3-alkyl thiophene)), 폴리페닐렌비닐렌(poly(phenylenevinylene)), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly(pphenylenevinylene)), 폴리 티에닐렌비닐렌(poly(thienylenevinylene)), 폴리파라페닐렌(poly(pphenylene)), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리퓨란(polyfuran), 폴리셀레노펜(polyselenophenes), 폴리텔루로펜(polytellurophene) 이들 2종 이상의 혼합물 또는 공중합체를 포함하는 것인 전극 활물질의 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 전도성 고분자 코팅은 상기 탈나트륨화된 올리빈계 나트륨 인산화물을 전도성 고분자의 모노머 용액에 침지시키는 방법으로 수행되는 것인 전극 활물질의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 전도성 고분자 모노머 용액에 도펀트 물질을 추가하는 것인 전극 활물질의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 도펀트 물질은 퍼설페이트(persulfate)를 포함하는 것인 전극 활물질의 제조방법
10 10
올리빈계 나트륨 인산화물; 및상기 올리빈계 나트륨 인산화물이 전도성 고분자로 코팅되어 있는 전극 활물질
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리페닐렌(polyphenylene),폴리(p-페닐렌 설파이드)(polyphenylene sulfide), 폴리파라페닐렌설파이드(polyphenylenesulfide), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아세틸렌(polyacethylene), 폴리 3 알킬 티오펜(poly(3-alkyl thiophene)), 폴리페닐렌비닐렌(poly(phenylenevinylene)), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly(pphenylenevinylene)), 폴리 티에닐렌비닐렌(poly(thienylenevinylene)), 폴리파라페닐렌(poly(pphenylene)), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리퓨란(polyfuran), 폴리셀레노펜(polyselenophenes), 폴리텔루로펜(polytellurophene) 이들 2종 이상의 혼합물 또는 공중합체를 포함하는 것인 전극 활물질
12 12
청구항 10에 있어서, 상기 전도성 고분자는 도펀트(dopant)로 도핑되는 것인 전극 활물질
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 도펀트(dopant)는 퍼설페이트(persulfate)를 포함하는 것인 전극 활물질
14 14
청구항 10에 있어서, 상기 올리빈계 나트륨 인산화물은 하기 화학식 1로 나타내어지는 전극 활물질:[화학식 1]NaxMy(PO4)a(P2O7)bXz상기 화학식 1에서, x는 1 내지 9의 정수이고,M은 전이 금속 또는 전이후 금속이고,y는 1 내지 4의 정수이고,a는 1 내지 3의 정수이고,b는 0 내지 4의 정수이고,X는 N, O, F 또는 S이고,z는 0 내지 4의 정수이다
15 15
청구항 10에 있어서,상기 화학식 1로 나타내어지는 전극 활물질은 하기 화학식 2인 전극 활물질:[화학식 2]NaxMy(PO4)aXzx는 2 내지 7의 정수이고,M은 전이 금속 또는 전이후 금속이고,y는 1 내지 4의 정수이고,a는 1 내지 3의 정수이고,X는 N, O, F 또는 S이고,z는 0 내지 4의 정수이다
16 16
청구항 10에 있어서,상기 화학식 1로 나타내어지는 전극 활물질은 하기 화학식 3인 전극 활물질:[화학식 3]Na2Fe(PO4)F
17 17
청구항 10에 있어서,상기 전도성 고분자는 상기 올리빈계 나트륨 인산화물의 전체 중량을 기준으로 1 내지 25 중량%로 코팅되는 것인 전극 활물질
18 18
청구항 10에 있어서,상기 전도성 고분자는 상기 올리빈계 나트륨 인산화물의 표면에 2 내지 30nm의 두께로 코팅층을 형성하는 것인 전극 활물질
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정통부 세종대학교 산학협력단 방사선기술개발사업(R&D) 방사광 기술 기반 비리튬계 신개념 이차전지 소재기술 개발