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샘플 플레이트 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020015387
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 나노 입자 및 금속 나노섬이 광반응 촉매층 상에 코팅된 복합 매트릭스를 이용한 샘플 플레이트에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 샘플 플레이트는 금속 기판, 상기 금속 기판 상에 형성된 광반응 촉매층 및 상기 광반응 촉매층에 코팅된 서로 이격된 금속 나노 구조체를 포함하는 복합 매트릭스를 포함한다.
Int. CL H01J 49/04 (2006.01.01) H01J 49/16 (2006.01.01) H01J 49/40 (2006.01.01) G01N 27/64 (2006.01.01)
CPC H01J 49/0418(2013.01) H01J 49/0418(2013.01) H01J 49/0418(2013.01) H01J 49/0418(2013.01)
출원번호/일자 1020190037009 (2019.03.29)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0114753 (2020.10.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.03.29)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변재철 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0326259-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0087754-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0464845-32
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.09.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0942917-64
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-0942873-43
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번호 청구항
1 1
금속 기판;상기 금속 기판 상에 형성된 광반응 촉매층; 및상기 광반응 촉매층에 코팅된 서로 이격된 금속 나노 구조체를 포함하는 복합 매트릭스를 이용한 샘플 플레이트
2 2
제 1 항에 있어서,상기 서로 이격된 금속 나노 구조체는, 금속 나노 입자 및 금속 나노섬을 포함하는 샘플 플레이트
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 기판은, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 주석(Sn), 텅스텐(W), 아연(Zn), 바나듐(V), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 철(Fe, 스테인레스 스틸) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 샘플 플레이트
4 4
제 1 항에 있어서,상기 광반응 촉매층은, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 주석(Sn), 텅스텐(W), 아연(Zn), 바나듐(V), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 및 철(Fe)의 산화물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 샘플 플레이트
5 5
제 1 항에 있어서,상기 광반응 촉매층은, TiO2 나노선인 것을 포함하는 샘플 플레이트
6 6
제 2 항에 있어서,상기 금속 나노섬은, 상기 금속 나노섬의 지름이 34
7 7
금속 기판을 형성하는 단계;상기 금속 기판의 표면을 부식시키고, 세정액 내에 노출시켜 세정하고, 열처리하여 상기 광반응 촉매층을 형성하는 단계; 및상기 광반응 촉매층 위에 상기 서로 이격된 금속 나노 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 샘플 플레이트의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 서로 이격된 금속 나노 구조체는, 금속 나노 입자 및 금속 나노섬을 포함하는 샘플 플레이트의 제조 방법
9 9
제 7항에 있어서,상기 서로 이격된 금속 나노 구조체는, 비산화성 금속을 포함하는 샘플 플레이트의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 비산화성 금속은 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti)을 포함하는 샘플 플레이트의 제조방법
11 11
제 8 항에 있어서,상기 금속 나노 입자를 형성하는 단계는, 상기 금속 나노 입자의 콜로이드 용액을 상기 광반응 촉매층 상에 점적하는 단계를 포함하는 샘플 플레이트의 제조방법
12 12
제 8 항에 있어서,상기 금속 나노섬을 형성하는 단계는, 상기 광반응 촉매층 위에 금속 박막을 증착하는 단계; 및상기 중간생성물을 열처리하는 단계를 포함하는 샘플 플레이트의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 금속 박막의 두께는, 1~15nm인 것을 포함하는 샘플 플레이트의 제조방법
14 14
제 12 항에 있어서,상기 열처리하는 단계는, 나노섬을 효과적으로 생성하기 위하여 200℃ 내지 1200℃에서 2시간동안 열처리하는 것을 포함하는 샘플 플레이트의 제조방법
15 15
제 12 항에 있어서, 상기 금속 나노섬은, 금(Au) 나노섬을 포함하고,상기 금속 박막은, 금(Au) 박막을 포함하고,상기 금 박막의 두께는, 1nm 내지 15nm이며, 타클로리무스, 사이클로스포린 에이, 시롤리무스 및 에버로리무스 중 적어도 하나 이상을 포함하는 시료를 점적한 후 건조하는 단계를 더 포함하는 샘플 플레이트의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.