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팁 본체부;일단이 상기 팁 본체부 상에 형성되며, 타단에는 파단면을 포함하는 고분자 나노프로브; 및일부는 상기 고분자 나노프로브에 매립되며, 일부는 상기 고분자 나노프로브의 파단면 외부에 자동정렬되는 1차원 나노구조물을 포함하되, 상기 1차원 나노구조물은 파단면 내부에 매립되는 길이(lembeded)가, 파단면 외부로 노출되는 길이(lexposed)보다 상대적으로 길게 형성되고상기 고분자 나노프로브는, 파단면이 취성 파괴를 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 파단모드 제어를 통하여 파단면에 자동정렬된 1차원 나노구조물이 노출되는 팁
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팁 본체부;일단이 상기 팁 본체부 상에 형성되며, 타단에는 파단면을 포함하는 고분자 나노프로브; 및일부는 상기 고분자 나노프로브에 매립되며, 일부는 상기 고분자 나노프로브의 파단면 외부에 자동정렬되는 1차원 나노구조물을 포함하되, 상기 1차원 나노구조물은 파단면 내부에 매립되는 길이(lembeded)가, 파단면 외부로 노출되는 길이(lexposed)보다 상대적으로 길게 형성되고,상기 1차원 나노구조물은 탄소나노튜브(CNT)이며,상기 고분자 나노프로브는, 직경(dprobe) 및 고분자 내 CNT의 농도(cCNT) 중 어느 하나 이상이 조절되며, 파단면에 노출되는 상기 CNT의 개수(nCNT)가 하기의 수식에 따라 제어되는 것을 특징으로 하는, 파단모드 제어를 통하여 파단면에 자동정렬된 1차원 나노구조물이 노출되는 팁
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제2항에 있어서,상기 고분자 나노프로브의 파단면에 상기 CNT가 단일하게 노출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는, 파단모드 제어를 통하여 파단면에 자동정렬된 1차원 나노구조물이 노출되는 팁
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팁 본체부를 가열시키는 가열단계; 상기 가열된 팁 본체부를 고분자에 접촉시켜, 상기 고분자를 국부적으로 가열시키는 접촉단계; 상기 팁 본체부를 상기 국부적으로 가열된 고분자와 멀어지는 방향으로 끌어당김으로써, 고분자 나노프로브를 형성하는 인장단계; 및지속적인 인장을 가함으로써 상기 고분자 나노프로브의 파괴를 유발하여, 고분자 나노프로브의 파단면을 형성하는 파단단계를 포함하고,상기 파단단계는, 상기 고분자를 유리전이온도 이하에서 냉각시키는 단계;상기 고분자 내부의 1차원 나노구조물이 고정되는 단계; 및지속적인 인장을 가함으로써 상기 고분자 나노프로브의 파괴를 유발하여, 상기 고분자 나노프로브에 취성 파단면을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 파단모드 제어를 통하여 파단면에 자동정렬된 1차원 나노구조물이 노출되는 팁의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 1차원 나노구조물은 탄소나노튜브(CNT)인 것을 특징으로 하는, 파단모드 제어를 통하여 파단면에 자동정렬된 1차원 나노구조물이 노출되는 팁의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 파단단계는, 200㎛/s 이상의 속도로 인장을 가하여 취성 파괴를 유발하는 것을 특징으로 하는, 파단모드 제어를 통하여 파단면에 자동정렬된 1차원 나노 구조물이 노출되는 팁의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 인장단계는, 직경(dprobe) 및 고분자 내 CNT의 농도(cCNT) 중 어느 하나 이상을 조절하여, 파단면에 노출되는 상기 CNT의 개수(nCNT)가 하기의 수식에 따라 제어하는 것을 특징으로 하는, 파단모드 제어를 통하여 파단면에 자동정렬된 1차원 나노구조물이 노출되는 팁의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 고분자 나노프로브의 파단면에 상기 CNT가 단일하게 노출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는, 파단모드 제어를 통하여 파단면에 자동정렬된 1차원 나노 구조물이 노출되는 팁의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 인장단계는, 인장 온도와 인장 거리(ldrawing)를 조절함으로써, 상기 CNT가 노출된 고분자 나노프로브의 전체 길이(lnanoprobe)를 제어하는 것을 특징으로 하는, 파단모드 제어를 통하여 파단면에 자동정렬된 1차원 나노구조물이 노출되는 팁의 제조방법
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