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두 가지 환원제를 이용한 박막 증착 방법 및 이의 박막 증착 구조

  • 기술번호 : KST2020015442
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면, 제1 환원제를 이용하여 전구체를 환원시키는 제1 환원 반응과 제2 환원제를 이용하여 제1 환원 반응 단계에서 반응된 전구체를 환원시키는 제2 환원 반응을 이용하여 박막의 특성을 조절하는 두 가지 환원제를 이용한 박막 증착 방법 및 이의 박막 증착 구조가 개시된다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/30 (2006.01.01) C23C 16/36 (2006.01.01)
CPC C23C 16/45534(2013.01) C23C 16/45534(2013.01) C23C 16/45534(2013.01) C23C 16/45534(2013.01)
출원번호/일자 1020190048208 (2019.04.25)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0124851 (2020.11.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.04.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 서울특별시 영등포구
2 남태욱 서울특별시 서대문구
3 이유진 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인우인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 중평빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0425622-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0183720-44
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번호 청구항
1 1
기판에 전구체를 흡착시키는 흡착 단계;상기 전구체와 반응하지 않는 비활성 기체를 이용하여 상기 기판에 흡착되지 않은 전구체를 제거하는 제1 퍼지 단계;제1 환원제를 이용하여 상기 전구체를 환원시키는 제1 환원 반응 단계;상기 제1 환원 반응에 참여하지 않은 제1 환원제를 제거하는 제2 퍼지 단계; 및제2 환원제를 이용하여 상기 제1 환원 반응 단계에서 반응된 전구체를 환원시키는 제2 환원 반응 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 전구체는 텅스텐 원소를 포함하는 유기 금속 화합물이며,상기 제2 환원 반응 단계는, 상기 기판에 상기 텅스텐 원소를 기반으로 한 산화탄화질화 텅스텐(WOCN)막을 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 환원 반응 단계에서 상기 제1 환원제 대신 상기 제2 환원제를 이용하고, 상기 제2 환원 반응 단계에서 상기 제2 환원제 대신 상기 제1 환원제를 이용하며, 상기 제1 환원제와 상기 제2 환원제의 순서의 변경에 따라 상기 산화탄화질화 텅스텐(WOCN)막의 산소, 탄소 및 질소의 조성 비율이 변화되고, 상기 산화탄화질화 텅스텐(WOCN)막의 성장률 및 전도성이 상이한 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 환원제는 플라즈마에 의해 활성화된 수소와 아르곤이 혼합된 혼합 기체를 포함하고, 상기 제2 환원제는 플라즈마에 의해 활성화된 암모니아를 포함하며,상기 제1 환원 반응 단계 및 제2 환원 반응 단계는 저온 공정인 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
5 5
제1 환원제와 제2 환원제가 기판에 흡착된 전구체와 환원 반응하여 형성되는 원자층을 포함하고,상기 전구체는 텅스텐 원소를 포함하는 유기 금속 화합물이며, 상기 원자층은 상기 텅스텐 원소를 기반으로 한 산화탄화질화 텅스텐(WOCN)막이고,상기 제1 환원제와 상기 제2 환원제의 환원 반응 순서의 변경에 따라 상기 산화탄화질화 텅스텐(WOCN)막의 산소, 탄소 및 질소의 조성 비율이 변화되고, 상기 산화탄화질화 텅스텐(WOCN)막의 성장률 및 전도성이 상이한 것을 특징으로 하는 박막 증착 구조
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