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트라이온 기반 발광 터널 소자 및 발광 터널 소자의 제조 방법

기술번호 : KST2020015450
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 실시예들은 양자 우물 구조를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는, 양전하 주입 층; 음전하 주입 층; 상기 양전하 주입 층과 상기 음전하 주입 층 사이에 배치되며, 상기 양전하 주입 층에 접하는 제 1 절연 층, 상기 음전하 주입 층에 접하는 제 2 절연 층, 및 상기 제 1 절연 층과 상기 제 2 절연 층 사이의 전이금속 디칼코제나이드(Transition Metal Dichalcogenide; TMD) 층을 갖는 양자 우물 구조; 및 상기 TMD 층에 음전하를 공급하기 위해 상기 TMD 층의 적어도 일부에 접하는 음전하 공급 층을 포함할 수 있다.
Int. CL	H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/26 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01)
CPC	H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01)
출원번호/일자	1020190059784 (2019.05.22)
출원인	연세대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-2167738-0000 (2020.10.13)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20201019) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2019.05.22)
심사청구항수	14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	연세대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 서대문구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이관형		서울특별시 서대문구
2	류희제		서울특별시 서대문구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김권석	대한민국	서울특별시 서초구 논현로*, B동 층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	연세대학교 산학협력단		서울특별시 서대문구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2019.05.22	수리 (Accepted)	1-1-2019-0522899-76
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2020.04.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2020.06.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0088218-84
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2020.07.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0480914-60
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.07.24	수리 (Accepted)	1-1-2020-0775017-14
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2020.07.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-0775091-83
7	등록결정서 Decision to grant	2020.10.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0686907-15

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 양전하 주입 층;음전하 주입 층;상기 양전하 주입 층과 상기 음전하 주입 층 사이에 배치되며, 상기 양전하 주입 층에 접하는 제 1 절연 층, 상기 음전하 주입 층에 접하는 제 2 절연 층, 및 상기 제 1 절연 층과 상기 제 2 절연 층 사이의 전이금속 디칼코제나이드(Transition Metal Dichalcogenide; TMD) 층을 갖는 양자 우물 구조; 및상기 TMD 층에 음전하를 공급하기 위해 상기 TMD 층의 적어도 일부에 접하는 음전하 공급 층을 포함하는 발광 소자
2	2 제 1 항에 있어서,상기 TMD 층은,상기 양자 우물 구조를 구성하며 양전하와 음전하의 재결합(recombination)에 의해 발광하는 발광부; 및상기 발광부로부터 연장된 확장부를 포함하고,상기 음전하 공급 층은 상기 TMD 층의 상기 확장부에 접하는 발광 소자
3	3 제 2 항에 있어서,전계에 의해 상기 TMD 층의 상기 확장부로부터 상기 발광부로 공급되는 음전하의 양을 제어하기 위한 제어 전극; 및상기 제어 전극과 상기 TMD 층 사이에 배치된 제 3 절연층을 더 포함하는 발광 소자
4	4 제 1 항에 있어서,상기 양전하 주입 층과 상기 음전하 주입 층 사이에 인가된 전압(VDS)에 의해, 양전하가 상기 양전하 주입 층 및 상기 제 1 절연층을 통하여 상기 TMD 층으로 주입되고, 음전하가 상기 음전하 주입 층 및 상기 제 2 절연층을 통하여 상기 TMD 층으로 주입되어, 양전하와 음전하의 재결합에 의해 발광하는 발광 소자
5	5 제 3 항에 있어서,상기 제어 전극에 인가된 전압(VGS)에 따라, 상기 TMD 층의 상기 확장부로부터 상기 발광부로 공급되는 음전하의 양이 제어되는 발광 소자
6	6 제 3 항에 있어서,상기 제어 전극에 인가된 전압(VGS)에 따라, 상기 TMD 층의 발광 파장 및 발광 강도가 변화하는 발광 소자
7	7 제 6 항에 있어서,상기 제어 전극에 인가된 전압(VGS)이 클수록 트라이온에 의한 발광이 증가하는 발광 소자
8	8 제 1 항에 있어서,상기 양전하 주입 층, 상기 음전하 주입 층 및 상기 음전하 공급 층 중 하나 이상은 그래핀을 포함하는 발광 소자
9	9 제 1 항에 있어서,상기 TMD 층은 MoS2, WS2 및 WSe2 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자
10	10 양전하 주입 층을 형성하는 단계;상기 양전하 주입층 상에 제 1 절연 층을 형성하는 단계;상기 제 1 절연 층 상에 전이금속 디칼코제나이드(Tansition Metal Dichalcogenide; TMD) 층을 형성하는 단계;상기 TMD 층 상에 제 2 절연 층을 형성하는 단계;상기 제 2 절연 층 상에 음전하 주입 층을 형성하는 단계; 및상기 TMD 층에 음전하를 공급하기 위해 상기 TMD 층의 적어도 일부에 접하는 음전하 공급 층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제 1 절연 층, 상기 TMD 층 및 상기 제 2 절연 층은 양자 우물(QW: Quantum Well) 구조를 형성하는 발광 소자의 제조 방법
11	11 제 10 항에 있어서,상기 TMD 층을 형성하는 단계는, 상기 양자 우물 구조를 구성하며 양전하와 음전하의 재결합(recombination)에 의해 발광하는 발광부와, 상기 발광부로부터 연장된 확장부를 형성하는 단계를 포함하고,상기 음전하 공급 층을 형성하는 단계에서는, 상기 TMD 층의 상기 확장부에 접하도록 상기 음전하 공급 층이 형성되는 발광 소자의 제조 방법
12	12 제 11 항에 있어서,전계에 의해 상기 TMD 층의 상기 확장부로부터 상기 발광부로 공급되는 음전하의 양을 제어하기 위한 제어 전극을 형성하는 단계; 및상기 제어 전극과 상기 TMD 층 사이에 제 3 절연 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
13	13 제 10 항에 있어서,상기 양전하 주입 층, 상기 음전하 주입 층 및 상기 음전하 공급 층은 그래핀을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
14	14 제 10 항에 있어서,상기 TMD 층은 MoS2, WS2 및 WSe2 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자의 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-2167738-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20190522 출원 번호 : 1020190059784 공고 연월일 : 20201019 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20201006 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 33/04 발명의 명칭 : 트라이온 기반 발광 터널 소자 및 발광 터널 소자의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	295,500 원	2020년 10월 13일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2019.05.22	수리 (Accepted)	1-1-2019-0522899-76
2	선행기술조사의뢰서	2020.04.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2020.06.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0088218-84
4	의견제출통지서	2020.07.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0480914-60
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.07.24	수리 (Accepted)	1-1-2020-0775017-14
6	[명세서등 보정]보정서	2020.07.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-0775091-83
7	등록결정서	2020.10.06	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0686907-15

중요키워드

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