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정전용량형 압력 센서 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020015454
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 정전용량형 압력 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 정전용량형 압력 센서는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 배치되고, 결정성 고분자 및 상기 결정성 고분자 내에 함침된 이온성 액체를 포함하는 이온성 겔 층을 포함하며, 상기 이온성 겔 층의 상기 결정성 고분자의 사슬(chain)의 재결정화에 의해 제어된 표면 거칠기를 갖는 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 배치된 제 2 전극층을 포함할 수 있다.
Int. CL G01L 1/14 (2006.01.01) G06F 3/044 (2006.01.01) G01L 9/12 (2006.01.01) C08L 27/16 (2006.01.01)
CPC G01L 1/14(2013.01) G01L 1/14(2013.01) G01L 1/14(2013.01) G01L 1/14(2013.01)
출원번호/일자 1020190076923 (2019.06.27)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2159453-0000 (2020.09.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200924) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.06.27)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 서울특별시 서대문구
2 김강립 서울특별시 서대문구
3 안종현 서울특별시 서대문구
4 이재복 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0659177-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2019-0050973-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0372032-50
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0792826-88
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0792833-08
7 등록결정서
Decision to grant
2020.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0639902-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극층;상기 제 1 전극층 상에 배치되고, 결정성 고분자 및 상기 결정성 고분자 내에 함침된 이온성 액체를 포함하는 이온성 겔 층을 포함하며, 상기 이온성 겔 층의 상기 결정성 고분자의 사슬(chain)의 재결정화에 의해 제어된 표면 거칠기를 갖는 유전체층; 및상기 유전체층 상에 배치된 제 2 전극층을 포함하는 정전용량형 압력 센서
2 2
제 1 항에 있어서상기 정전용량형 압력 센서는,상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 중 어느 하나와 상기 유전체층 사이에 상기 표면 거칠기를 통해 형성된 에어 갭을 더 포함하는 정전용량형 압력 센서
3 3
제 1 항에 있어서상기 정전용량형 압력 센서는,상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 중 어느 하나와 상기 유전체층의 계면 사이에 형성된 전기 이중층 (Electric Double Layer: EDL)을 더 포함하는 정전용량형 압력 센서
4 4
제 1 항에 있어서상기 표면 거칠기는 미소 섬유(micro-fibril) 형태의 토폴로지를 포함하는 정전용량형 압력 센서
5 5
제 1 항에 있어서상기 결정성 고분자의 사슬(chain)의 재결정화는 상기 결정성 고분자의 사슬(chain)이 상기 유전체 층의 표면 법선에 평행으로 정렬되는 것을 포함하며,상기 결정성 고분자는 상기 사슬이 굽힘 형태에 의해 판상모형(platelet)의 결정 형태를 가지며, 상기 유전체 층의 표면 법선을 기준으로 라멜라 구조를 갖는 정전용량형 압력 센서
6 6
제 1 항에 있어서상기 표면 거칠기의 제곱 평균(root mean square: RMS)은 0
7 7
제 1 항에 있어서상기 결정성 고분자 내에 함침된 이온성 액체의 함량은 0 중량% 초과 60 중량% 이하 범위를 갖는 정전용량형 압력 센서
8 8
제 1 항에 있어서상기 결정성 고분자는 PVDF, P(VDF-TrFE), P(VDF-CTFE), P(VDF-CFE), P(VDF-HFP), P(VDF-TrFE-CTFE), P(VDF-TrFE-CFE) 및 P(VDF-TrFE-HFP)를 포함하는 PVDF 기재 공중합체인 정전용량형 압력 센서
9 9
제 1 항에 있어서상기 이온성 액체는 EMI-TFSA, BMIM TFSI, OMIM TFSI, EMIM TFSI, EMIM-BF4, EMIM-TCB, BMIM-TFSI, EMIM-SO4, BMIM-BF4, DMIM-BF4, DMIM-TFSI 중 적어도 하나를 포함하는 정전용량형 압력 센서
10 10
제 1 항에 있어서상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 중 적어도 하나는 고분자 기판 상에 형성되고, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 중 적어도 하나는 상기 고분자 기판 상에 라인 패턴화된 제 1 및 제2 그래핀 층을 포함하며,상기 정전용량형 압력 센서는 상기 라인 패턴화된 제 1 그래핀 층과 상기 라인 패턴화된 제 2 그래핀 층사이의 복수의 교차점들에 각각 정의되는 커패시터 셀들의 배열을 갖는 정전용량형 압력 센서
11 11
제 1 전극층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극층 상에, 상기 제 1 전극층 상에 배치되고, 결정성 고분자 및 상기 결정성 고분자 내에 함침된 이온성 액체를 포함하는 이온성 겔 층을 포함하며, 상기 이온성 겔 층의 상기 결정성 고분자의 사슬(chain)의 재결정화에 의해 제어된 표면 거칠기를 갖는 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 정전용량형 압력 센서의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 유전체층을 형성하는 단계는,상기 결정성 고분자와 상기 이온성 액체를 준비하는 단계;상기 결정성 고분자와 상기 이온성 액체를 혼합하여 이온성 혼합 용액을 형성하는 단계; 상기 이온성 혼합 용액을 제 1 전극층에 코팅하여, 이온성 겔 층을 형성하는 단계; 및 상기 이온성 겔 층을 열처리하여, 상기 결정성 고분자의 사슬을 재결정화시키는 단계를 포함하는 정전용량형 압력 센서의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 열처리의 온도는 상기 결정성 고분자의 용융 온도보다 높은 정전용량형 압력 센서의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 이온성 겔 층의 냉각 속도를 조절하는 단계를 더 포함하는 정전용량형 압력 센서의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 냉각 속도는 5
16 16
제 11 항에 있어서,상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 중 적어도 하나는 고분자 기판 상에 형성되고, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 중 적어도 하나는 상기 고분자 기판 상에 라인 패턴화된 제 1 및 제2 그래핀 층을 포함하며,상기 정전용량형 압력 센서는 상기 라인 패턴화된 제 1 그래핀 층과 상기 라인 패턴화된 제 2 그래핀 층사이의 복수의 교차점들에 각각 정의되는 커패시터 셀들의 배열을 갖는 정전용량형 압력 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 (후속)사용자 상호작용 교류기반 디스플레이/센싱 소재 및 소자(3/3)(2017.3.1~2020.2.29)
2 과학기술정보통신부 연세대학교 산학협력단 원천기술개발사업 [Ezbaro] (총괄/3세부)인공 공감각 일렉트로닉스 플랫폼 개발 (1단계)(2/3)