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질화갈륨(GaN) 기반의 발광 적층 구조체;상기 발광 적층 구조체 상부에 형성되는 제1 절연층; 및상기 제1 절연층 상부에 형성된 전이금속 화합물 트랜지스터를 포함하고,상기 전이금속 화합물 트랜지스터는상기 제1 절연층 상부에 형성되는 전이금속 화합물 활성층;상기 전이금속 화합물 활성층 상에 형성되는 드레인 전극;상기 전이금속 화합물 활성층 상에 상기 드레인 전극과 이격되어 형성되는 소스 전극;상기 드레인 전극과 소스 전극을 도포하면서 상기 전이금속 화합물 활성층 상부에 형성되는 제2 절연층; 및상기 제2 절연층 상부에 형성되는 게이트 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터가 집적된 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 질화갈륨(GaN) 기반의 발광 적층 구조체는,기판;상기 기판 상에 형성되는 제1 GaN 층;상기 제1 GaN 층 상의 일 영역에 형성되는 제1 전극;상기 제1 GaN 층 상의 타 영역에 형성되는 발광활성층;상기 발광활성층 상부에 형성되는 제2 GaN 층; 및상기 제2 GaN 층 상의 일 영역에 형성되는 제2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는트랜지스터가 집적된 발광 다이오드
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제2항에 있어서,상기 제1 절연층은 상기 제2 GaN 층 상의 상기 제2 전극이 형성되지 않은 영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터가 집적된 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 전이금속 화합물 활성층은 이황화 몰리브덴(Molybdenum Disulfide, MoS2), 이셀레니드 몰리브덴(Molybdenum Diselenide, MoSe2), 이셀레니드 텅스텐(Tungsten Diselenide, WSe2), 이텔루리드 몰리브덴(Molybdenum Ditelluride, MoTe2) 및 이셀레니드 주석(Tin Diselenide, SnSe2)로 이루어진 군에서 1 이상 선택되는 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터가 집적된 발광 다이오드
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(a) 기판, 제1 GaN 층, 발광활성층, 제2 GaN 층이 순차적으로 적층된 질화갈륨(GaN) 적층 구조체를 준비하는 단계;(b) 상기 제2 GaN 층 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;(c) 상기 제1 절연층 상에 MOCVD 법을 이용하여 전이금속 화합물 활성층을 형성시킨 반도체 적층 구조체를 제공하는 단계;(d) 메사 에칭(mesa-etching)을 이용하여 상기 질화갈륨 적층 구조체의 제1 GaN 층 상부의 일부 영역, 상기 제2 GaN 층 상부의 일부 영역, 상기 제1 절연층 상부의 일부 영역 각각이 외부에 노출되도록 에칭하는 단계;(e) 상기 제1 GaN 층의 노출된 영역, 상기 제2 GaN 층의 노출된 영역 상에 각각 제1 전극과 제2 전극을 형성하고, 상기 전이금속 화합물 활성층 상에 드레인 전극과 소스 전극이 이격되도록 형성하는 단계;(f) 상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 상기 드레인 전극, 상기 소스 전극, 상기 반도체 적층 구조체의 상부 영역을 도포하는 제2 절연층을 형성하는 단계; 및(g) 상기 제2 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터가 집적된 발광 다이오드의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 전이금속 화합물 활성층은 이황화 몰리브덴(Molybdenum Disulfide, MoS2), 이셀레니드 몰리브덴(Molybdenum Diselenide, MoSe2), 이셀레니드 텅스텐(Tungsten Diselenide, WSe2), 이텔루리드 몰리브덴(Molybdenum Ditelluride, MoTe2) 및 이셀레니드 주석(Tin Diselenide, SnSe2)로 이루어진 군에서 1 이상 선택되는 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터가 집적된 발광 다이오드의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 전이금속 화합물 활성층의 형성은 700 ℃ 이하에서 수행하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터가 집적된 발광 다이오드의 제조방법
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