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황-도핑 실리콘 음극재, 그의 제조방법, 상기 음극재를 포함하는 리튬 이차 전지 음극, 및 상기 음극을 포함하는 리튬 이차 전지

  • 기술번호 : KST2020015501
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 평균폭이 500nm 내지 3㎛인 내부 공극 채널을 가지며, 평균직경이 1㎛ 내지 5㎛인 황-도핑 실리콘 음극재, 그의 제조방법, 그를 포함하는 리튬 이차 전지용 음극; 및 상기 음극을 포함하는 리튬 이차 전지를 제공한다.
Int. CL H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) C01B 33/02 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200028206 (2020.03.06)
출원인 주식회사 엘지화학, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0107852 (2020.09.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190027137   |   2019.03.08
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장배 대전광역시 유성구
2 박수진 경상북도 포항시 남구
3 류재건 경상북도 포항시 남구
4 채종현 대전광역시 유성구
5 양지혜 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, *층 (역삼동, 홍은빌딩)(워너비특허법률사무소)
2 이명구 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, *층 (역삼동, 홍은빌딩)(워너비특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0239821-89
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-0247472-80
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번호 청구항
1 1
평균폭이 500nm 내지 3㎛인 내부 공극 채널을 가지며, 평균직경이 1㎛ 내지 5㎛인 황-도핑 실리콘 음극재
2 2
제1항에 있어서,상기 내부 공극 채널은 황-도핑 실리콘 입자로 둘러 쌓여 형성된 형태인 것을 특징으로 하는 황-도핑 실리콘 음극재
3 3
제1항에 있어서,상기 황-도핑 실리콘 음극재는 황이 0
4 4
제1항에 있어서,상기 황-도핑 실리콘 음극재는 전기전도도가 1 내지 6 S/m인 것을 특징으로 하는 황-도핑 실리콘 음극재
5 5
제1항에 있어서,상기 황-도핑 실리콘 음극재는 리튬이온 확산계수가 10-12 내지 10-10 cm2/s인 것을 특징으로 하는 황-도핑 실리콘 음극재
6 6
제1항에 있어서,상기 황-도핑 실리콘 음극재는 공극률이 4 내지 10%인 것을 특징으로 하는 황-도핑 실리콘 음극재
7 7
(a) 실리카, 금속환원제, 금속할라이드염, 및 설페이트 화합물을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 및(b) 상기 혼합물에 대하여 환원반응을 진행하는 단계;를 포함하는 황-도핑 실리콘 음극재의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 (a)단계에서 실리카, 금속환원제, 금속할라이드염, 및 설페이트 화합물은 5~14 : 12~14 : 62~67: 7~19의 중량비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 황-도핑 실리콘 음극재의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 (b)단계에서 환원반응은 비활성 분위기 하에서 200 내지 270℃의 온도로 가열하여 진행하는 것을 특징으로 하는 황-도핑 실리콘 음극재의 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 (a)단계에서 설페이트 화합물은 MgSO4, ZnSO4, BaSO4, Na2SO4, 및 NiSO4로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 황-도핑 실리콘 음극재의 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 (a)단계에서 상기 금속환원제는 Mg, Al, Ca, 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며,상기 금속할라이드염은 AlCl3, MgCl2, 및 ZnCl2로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 황-도핑 실리콘 음극재의 제조방법
12 12
제7항에 있어서, 상기 (b)단계의 환원반응이 완료된 다음, 반응물을 물에 분산시켜서 미반응 금속할라이드염 및 설페이트 화합물을 제거하는 (c)단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 황-도핑 실리콘 음극재의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 (c)단계를 수행한 후, 반응물을 염산 수용액으로 처리하여 금속환원제 및 잔류 이물질을 제거하는 (d)단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 황-도핑 실리콘 음극재의 제조방법
14 14
제7항에 있어서, 미반응 실리카는 0
15 15
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 황-도핑 실리콘 음극재를 포함하는 리튬 이차 전지용 음극
16 16
제15항의 리튬 이차 전지용 음극을 포함하는 리튬 이차 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.