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구리 전구체, 강산-강염기 결합 성질의 인듐 전구체, 황 전구체, 황 분말 및 용매를 혼합하고 가열하여 양자점 성장 용액 안에 Cu-In-S 기반 코어를 형성하는 단계; 및상기 코어가 형성되어 있는 양자점 성장 용액 안으로 ZnS 스톡 용액을 더 적용하여 상기 코어 상에 ZnS 쉘을 형성하여 코어/쉘 양자점을 형성하는 단계를 포함하며,상기 양자점의 방출 피크 파장이 튜닝되도록, 상기 코어를 형성하는 단계에서 상기 코어의 성장 조건 변수의 조절이 이루어지며, 상기 성장 조건 변수는 상기 코어 형성을 위한 구리 전구체/인듐 전구체 몰 비 조절, 상기 양자점 성장 용액 가열 온도 및/또는 반응 시간 조절, 상기 코어를 형성하는 단계와 ZnS 쉘을 형성하는 단계 사이에 Ag 얼로잉하는 후처리 추가 및 상기 인듐 전구체를 강산-약염기 결합 성질의 인듐 전구체로 변경하는 것 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 구리 전구체/인듐 전구체 몰 비를 1/8~1/1 사이에서 증가시켜 상기 방출 피크 파장을 증가시키는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 양자점 성장 용액 가열 온도 및/또는 반응 시간을 120℃-250℃, 15초-60분 사이에서 증가시켜 상기 방출 피크 파장을 증가시키는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 강산-강염기 결합 성질의 인듐 전구체는 In(Ac)3 또는 인듐 아세틸아세토네이트(In acetylacetonate)이고, 상기 구리 전구체/인듐 전구체 몰 비를 1/2~1/1로 하고, 상기 양자점 성장 용액 가열 온도, 반응 시간은 180℃~220℃, 15초~60분으로 하여 상기 양자점 성장 용액 안에 상기 코어를 형성한 후, 상기 양자점 성장 용액 안으로 Ag 소스를 첨가하여 상기 Ag 얼로잉하는 후처리를 추가 실시함으로써 상기 양자점의 방출 피크 파장이 750nm 이상인 근적외선이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 구리 전구체/인듐 전구체 몰 비를 1/2~1/1로 하고, 상기 양자점 성장 용액 가열 온도, 반응 시간은 180℃~220℃, 15초~60분으로 하되, 상기 강산-강염기 결합 성질의 인듐 전구체를 상기 강산-약염기 결합 성질의 인듐 전구체인 InI3, InBr3 또는 InCl3로 변경하여, 상기 양자점의 방출 피크 파장이 800nm 이상인 근적외선이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 양자점 성장 용액 안에 상기 코어를 형성한 후, 상기 양자점 성장 용액 안으로 Ag 소스를 첨가하여 상기 Ag 얼로잉하는 후처리를 추가 실시하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 양자점을 형성하는 단계 이후에, 상기 ZnS 쉘에 Al 도핑을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 Al 도핑은 상기 양자점이 형성된 양자점 성장 용액 안으로 Al 소스인 Al(IPA)3를 첨가하여 실시하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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