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금속 이온 표면 처리된 금속 산화물 나노입자, 이것을 포함하는 양자점-발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020015645
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개선된 전자 수송층 재료 및 그 제조 방법, 그리고 개선된 전자 수송층을 포함함으로써 더 높은 휘도와 효율을 보이는 양자점-발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 개선된 전자 수송층 재료는 다음과 같은 금속 산화물 나노입자이다. 이 금속 산화물 나노입자는, Zn1-xMe1xO(0≤x≤0.5) 조성의 Zn 함유 금속 Me1 산화물 나노입자 : 및 상기 나노입자 표면에 형성된 금속 Me2 이온 표면 처리층을 포함한다. 여기서 상기 금속 Me1은 Li, Be, Na, Mg, Al, K, Ca, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ga, Ge, Rb, Sr, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Ba 및 이들의 조합 중에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 금속 Me2는 Li, Be, Na, Mg, Al, K, Ca, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Ba 및 이들의 조합 중에서 선택되는 어느 하나이다.
Int. CL C01G 9/00 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC C01G 9/00(2013.01) C01G 9/00(2013.01) C01G 9/00(2013.01) C01G 9/00(2013.01)
출원번호/일자 1020190041066 (2019.04.08)
출원인 홍익대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0118728 (2020.10.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.04.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양희선 서울특별시 동작구
2 한창열 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-0359471-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.01.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0046235-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0271480-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0484329-17
6 등록결정서
Decision to grant
2020.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0750091-00
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번호 청구항
1 1
Zn1-xMe1xO(0≤x≤0
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 Me2가 상기 Zn 함유 금속 Me1 산화물 나노입자 표면의 댕글링 본드(dangling bond)와 반응하여 상기 금속 Me2 이온 표면 처리층을 형성한 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노입자
3 3
정공 수송층, 양자점 발광층, 및 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 수송층이 제1항 기재의 금속 산화물 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점-발광 소자
4 4
제3항에 있어서, 양극, 정공 주입층 및 음극을 더 포함하고, 상기 정공 수송층과 정공 주입층은 poly(ethylenedioxythiophene):polystyrene sulphonate(PEDOT:PSS), poly[(9, 9-dioctyl-fluorenyl-2, 7-diyl)-co-(4, 4'-(N-(p-butylphenyl))diphenylamine)](TFB), poly(9-vinlycarbazole)(PVK), N, N, N, N', N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine(TPD), poly-TPD, 4, 4', 4''-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine(TCTA), N, N'-bis(naphthalen-1-yl)-N, N'bis(phenyl)-9, 9-spiro-bifluorene(spiro-NPB), dipyrazino[2, 3-f:2', 3'-h]quinoxaline-2, 3, 6, 7, 10, 11-hexacarbonitrile(HATCN), 1, 1-bis[(di-4-tolylamino)phenylcyclohexane(TAPC), p-형 금속 산화물 및 이들의 조합 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점-발광 소자
5 5
제3항에 있어서, 상기 양자점 발광층은 II-VI족, I-Ⅲ-VI족 또는 Ⅲ-V족 나노 반도체 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 양자점-발광 소자
6 6
제3항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노입자는 Zn1-xMgxO(0≤x≤0
7 7
Zn1-xMe1xO(0≤x≤0
8 8
제7항에 있어서, 용액 안에서 상기 Zn 함유 금속 Me1 산화물 나노입자를 형성한 다음, 상기 용액 안에 상기 금속 Me2의 전구체를 주입하여 반응시킴으로써 상기 금속 Me2 이온 표면 처리층을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노입자 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 금속 Me2의 전구체는 상기 금속 Me2를 포함하는 금속염 물질 또는 금속 알콕사이드 물질인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노입자 제조 방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 Zn 함유 금속 Me1 산화물 나노입자를 형성하는 단계는, Zn 아세테이트 다이하이드레이트(acetate dihydrate)와 Mg 아세테이트 테트라하이드레이트(acetate tetrahydrate)를 포함하는 DMSO(dimethyl sulfoxide) 안에 용해되어 있는 양이온 용액에 TMAH(tetramethylammoniumhydroxide) 및 에탄올을 포함하는 투명 용액을 추가하여 반응시키는 단계를 포함하고,상기 나노입자 표면에 금속 Me2 이온 표면 처리를 하여 금속 Me2 이온 표면 처리층을 형성하는 단계는, 상기 양이온 용액 안에 Mg 아세테이트 테트라하이드레이트를 추가로 주입해 더 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노입자 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부(과학기술정보통신부) 홍익대학교 이공분야 기초연구사업(중견연구자-도약) 비카드뮴계 퀀텀닷 기반 백색 조명 자발광 소자 개발 연구
2 교육부 홍익대학교 중점연구소지원사업 메타물질 융합 핵심요소기술 연구
3 미래창조과학부(과학기술정보통신부) 홍익대학교 원천기술개발사업(미래소재디스커버리사업) 인공 공감각 일렉트로닉스 소재 디스커버리