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산화갈륨 재질에 제1 도펀트로 도핑된 고농도층;상기 고농도층 위에 형성되고, 산화갈륨 재질에 제1 도펀트로 도핑되되 상기 고농도층에 비하여 상대적으로 도핑농도가 낮은 전송층;상기 고농도층의 하면에 오믹 접촉된 금속 재질의 캐소드; 및상기 전송층의 상면 일부에 쇼트키 접촉하도록 형성된 금속 재질의 애노드를 포함하는 쇼트키 장벽 다이오드에 있어서,상기 전송층의 상면에 쇼트키 접촉된 금속 재질의 금속가드링이 하나 이상 형성되고,상기 금속가드링은 상기 애노드에 소정 거리 이격되어 접촉하지 않으며, 상기 애노드를 둘러싸도록 위치된 것이고,상기 금속가드링은 적어도 4개 이상이 서로 접촉하지 않도록 0
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청구항 1에 있어서,복수의 금속가드링은 서로 소정 거리 이격되어 있으며, 금속가드링 상호간에 이격된 거리가, 애노드에 가장 가까운 금속가드링과 애노드 사이의 간격과 동일한 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드
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청구항 3에 있어서,금속가드링 상호간에 이격된 거리가, 상대적으로 안쪽에 위치하는 금속가드링의 모서리로부터 확장되는 공핍영역의 범위 내에 상대적으로 바깥쪽에 위치하는 다음 금속가드링이 위치하는 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드
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청구항 4에 있어서,금속가드링의 모서리로부터 확장되는 공핍영역이 상기 전송층의 도핑농도에 의해서 결정되는 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드
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청구항 1에 있어서,애노드와 금속가드링 각각의 가장자리에서 집중되는 전계의 크기가 반도체 소재의 임계항복전계 이하인 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 금속가드링을 덮고 상기 애노드만 노출시키는 보호막이 형성된 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드
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청구항 1에 따른 쇼트키 장벽 다이오드의 제조방법에 있어서,제1 도펀트로 도핑된 기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판의 상부에 제1 도펀트로 도핑되고 상대적으로 도핑농도가 낮은 전송층을 성장시키는 전송층 성장 단계;상기 기판의 하면에 오믹 접촉된 금속 재질의 캐소드를 형성하는 캐소드 형성 단계; 및상기 전송층의 상면 일부에 쇼트키 접촉하도록 금속 재질의 애노드를 형성하는 애노드 형성 단계를 포함하는 쇼트키 장벽 다이오드의 제조방법에 있어서,상기 전송층의 상면에 쇼트키 접촉된 금속 재질의 금속가드링을 하나 이상 형성하는 금속가드링 형성 단계를 더 포함하며,상기 금속가드링 형성 단계는, 상기 애노드에 소정 거리 이격되어 접촉하지 않고, 상기 애노드를 둘러싸도록 금속가드링을 형성하는 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 금속가드링 형성 단계가 상기 애노드 형성 단계에서 함께 수행되는 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 금속가드링 형성 단계에서,서로 접촉하지 않는 복수의 금속가드링을 형성하는 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드의 제조방법
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청구항 12에 있어서,복수의 금속가드링이 서로 소정 거리 이격되도록 형성하며, 금속가드링 상호간에 이격된 거리가, 애노드에 가장 가까운 금속가드링과 애노드 사이의 간격과 동일하게 형성하는 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드의 제조방법
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청구항 13에 있어서,금속가드링 상호간에 이격된 거리가, 상대적으로 안쪽에 위치하는 금속가드링의 모서리로부터 확장되는 공핍영역의 범위 내에 상대적으로 바깥쪽에 위치하는 다음 금속가드링이 위치하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드의 제조방법
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청구항 14에 있어서,금속가드링의 모서리로부터 확장되는 공핍영역은 상기 전송층의 도핑농도에 의해서 결정되는 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드의 제조방법
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청구항 12에 있어서,애노드와 금속가드링 각각의 가장자리에서 집중되는 전계의 크기가 반도체 소재의 임계항복전계 이하가 되도록 상기 금속가드링을 형성하는 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 금속가드링을 덮고 상기 애노드만 노출시키는 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드의 제조방법
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청구항 1, 청구항 3 내지 5, 청구항 7 및 청구항 8 중 어느 하나의 쇼트키 장벽 다이오드를 포함하여 고전압 스위칭이 가능한 전력반도체
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