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제1 도전형으로 도핑된 제1 도전형 반도체층의 위에 i형 반도체층과 제2 도전형으로 도핑된 제2 도전형 반도체층을 순차로 적층하는 단계;제2 도전형 반도체층과 i형 반도체층을 관통하는 트렌치를 형성하여 제1 도전형 반도체층을 공유하고 i형 반도체층과 제2 도전형 반도체층은 분리된 제1 소자와 제2 소자로 분리하는 단계;제1 소자에 대해서 제2 도전형 반도체층을 적어도 일부를 식각하여 제거하는 단계;제2 도전형 반도체층이 적어도 일부 제거된 제1 소자에 제2 도전형 도펀트를 주입하여 i형 반도체층의 두께를 감소시키는 단계; 및상기 제1 도전형 반도체층의 하면에 전극을 형성하고, 제1 소자와 제2 소자 각각의 제2 도전형 반도체층 상면에 전극을 형성하여 2개의 포토다이오드를 구성하는 단계를 포함하는 듀얼포토다이오드의 제조방법
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청구항 1에 있어서,제1 소자에 대해서 제2 도전형 반도체층을 식각하는 과정에서, 제1 소자에 포함된 제2 도전형 반도체층을 모두 제거하는 것을 특징으로 하는 듀얼포토다이오드의 제조방법
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청구항 1에 있어서,제2 도전형 반도체층이 적어도 일부 제거된 제1 소자에 제2 도전형 도펀트를 주입하는 과정에서, 제1 소자의 i형 반도체층이 소정의 두께가 될 때까지 제2 도전형 도펀트를 주입하는 것을 특징으로 하는 듀얼포토다이오드의 제조방법
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청구항 1에 있어서,반도체 재질이 SiC인 것을 특징으로 하는 듀얼포토다이오드의 제조방법
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제1 도전형으로 도핑된 제1 도전형 반도체층의 위에 i형 반도체층과 제2 도전형으로 도핑된 제2 도전형 반도체층을 순차로 적층하는 단계;제2 도전형 반도체층과 i형 반도체층을 관통하는 트렌치를 형성하여 제1 도전형 반도체층을 공유하고 i형 반도체층과 제2 도전형 반도체층은 분리된 제1 소자와 제2 소자로 분리하는 단계;제1 소자에 제2 도전형 도펀트를 주입하여 i형 반도체층의 두께를 감소시키는 단계; 및상기 제1 도전형 반도체층의 하면에 전극을 형성하고, 제1 소자와 제2 소자 각각의 제2 도전형 반도체층 상면에 전극을 형성하여 2개의 포토다이오드를 구성하는 단계를 포함하는 듀얼포토다이오드의 제조방법
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청구항 5에 있어서,제2 도전형 반도체층이 적어도 일부 제거된 제1 소자에 제2 도전형 도펀트를 주입하는 과정에서, 제1 소자의 i형 반도체층이 소정의 두께가 될 때까지 제2 도전형 도펀트를 주입하는 것을 특징으로 하는 듀얼포토다이오드의 제조방법
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청구항 5에 있어서,반도체 재질이 SiC인 것을 특징으로 하는 듀얼포토다이오드의 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 5의 방법으로 제조되어,제1 도전형으로 도핑된 제1 도전형 반도체층의 위에 i형 반도체층과 제2 도전형으로 도핑된 제2 도전형 반도체층이 순차로 적층되고 제1 도전형 반도체층의 하면에 형성된 전극과 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 전극을 포함하는 제1 포토다이오드와 제2 포토다이오드의 2개 소자로 구성되며,상기 제1 포토다이오드와 상기 제2 포토다이오드는, 제1 도전형 반도체층을 공유하고, i형 반도체층과 제2 도전형 반도체층은 트렌치에 의해서 분리되어 있고,상기 제1 포토다이오드의 i형 반도체층 두께가 상기 제2 포토다이오드의 i형 반도체층 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 듀얼포토다이오드
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청구항 8의 듀얼포토다이오드를 사용하여 입사광의 파장을 측정하는 방법으로서, i층의 두께에 따른 파장별 응답도의 차이를 기준으로, 제1 포토다이오드에서 생산된 광전류 IPD1과 제2 포토다이오드에서 생산된 광전류 IPD2의 비율을 통해서 입사광의 파장을 측정하는 것을 특징으로 하는 입사광의 파장 측정방법
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청구항 8의 듀얼포토다이오드를 사용하여 입사광의 세기를 측정하는 방법으로서, 하기 수식을 통해서 입사광의 세기를 측정하며,IPD1은 제1 포토다이오드의 광전류이고, IPD2는 제2 포토다이오드의 광전류이다
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