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기판(104);상기 기판 상에 위치하는 하부 전극층(103);상기 하부 전극층(103) 상에 위치하는 저항 변화 물질층(102); 및저항 변화 물질층(102) 상에 위치하는 상부 전극층(101)을 포함하고,상기 저항 변화 물질층(102)은 제1 다이아민으로 표면 개질된 그래핀 옥사이드와 폴리아믹산을 혼합하여 형성한 그래핀 옥사이드와 폴리이미드가 화학적으로 결합한 복합 소재로 구성되며,상기 그래핀 옥사이드는, 제1 다이아민으로 표면 개질된 그래핀 옥사이드와 폴리이미드가 화학적으로 결합한 복합 소재 대비 1 내지 4중량%로 포함되는, 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 하부 전극층(103)과 상부 전극층(101)은 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 알루미늄(Al), 이리듐(Ir), 금(Au), 루테늄(Ru)을 포함하는 금속계열 또는 이리듐 산화물(IrO2),루테늄 산화물(RuO2),티타늄 산화물(TiN), 탄탈륨 질화물(TaN), 인듐 주석 산화물(Indium-tin-oxide, ITO)을 포함하는 산화물 계열 또는 그래핀 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 저항 변화 물질층(102)의 두께는 20 nm 내지 150 nm인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 제 1 다이아민은 하기의 화학식 1의 다이아민이고,003c#화학식 1003e# 상기 화학식 1에서 R2는 아래의 화학구조로 이루어지는 군에서 선택되며,여기에서, 상기 x는 1≤x≤50을 만족하는 정수이고, 상기 n은 1 내지 20 범위의 자연수이며, W, X, Y는 각각 탄소수 1 내지 30 사이의 알킬기 또는 아릴기이고, Z는 에스테르기, 아미드기, 이미드기 및 에테르기로 이루어지는 군에서 선택되는,저항 변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 폴리이미드는 다이안하이드라이드 단량체와 제 2 다이아민 단량체를 용매에 넣고 교반하여 생성된 전방향족(fully aromatic), 부분지방족(partially aliphatic) 또는 전지방족(fully aliphatic) 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
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제5항에 있어서,상기 다이안하이드라이드는 하기의 화학식 2의 다이안하이드라이드이고,003c#화학식 2003e# 상기 화학식 2에서 R1은 아래의 화학구조로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는,저항 변화 메모리 소자
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제5항에 있어서,상기 제 2 다이아민 단량체는 하기의 화학식 3의 다이아민이고,003c#화학식 3003e# 상기 화학식 3에서 R2는 아래의 화학구조로 이루어지는 군에서 선택되며,여기에서, 상기 x는 1≤x≤50을 만족하는 정수이고, 상기 n은 1 내지 20 범위의 자연수이며, W, X, Y는 각각 탄소수 1 내지 30 사이의 알킬기 또는 아릴기이고, Z는 에스테르기, 아미드기, 이미드기 및 에테르기로 이루어지는 군에서 선택되는,저항 변화 메모리 소자
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