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챔버;챔버로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 모듈;챔버의 내부에 진공압을 형성하며, 진공 펌프를 포함하는 진공 형성 모듈;챔버에서 배출된 공정 가스를 흡착하는 가스 흡착 모듈; 및가스 흡착 모듈에서 흡착된 공정 가스를 챔버로 공급하는 가스 회수 모듈을 포함하는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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청구항 1에 있어서, 가스 공급 모듈은,공정 가스를 기화시키는 기화부; 및기화부와 챔버를 연결하는 제 1 라인을 포함하는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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청구항 2에 있어서, 가스 흡착 모듈은,공정 가스를 흡착하는 흡착부;챔버와 흡착부를 연결하는 제 2 라인;제 2 라인에 연결된 제 1 컨센트레이션 밸브;흡착부와 진공 펌프를 연결하는 제 3 라인; 제 3 라인에 연결된 제 2 컨센트레이션 밸브; 및흡착부의 온도를 조절하는 흡착부 온도 조절부를 포함하는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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청구항 3에 있어서, 제 1 라인, 챔버, 제 2 라인 및 제 3 라인을 가열하는 히팅 모듈을 더 포함하는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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청구항 4에 있어서,히팅 모듈은 공정 가스에 따라 제 1 라인, 챔버, 제 2 라인 및 제 3 라인의 온도를 조절하는 히팅 모듈 온도 조절부를 포함하는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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청구항 5에 있어서, 히팅 모듈 온도 조절부는 제 1 라인, 챔버, 제 2 라인 및 제 3 라인의 온도를 30°C 이상 100°C 이하로 조절하는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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청구항 1에 있어서, 공정 가스는 상온에서 액체인 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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청구항 7에 있어서,공정 가스는 C5F8, C7F8, C7F14, C4F9I, CBr2F2 및 C6F12O 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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청구항 3에 있어서, 진공 형성 모듈은,제 2 라인에 배치된 TMP(Turbo Molecular Pump) 펌프를 더 포함하는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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청구항 3항에 있어서,흡착부 온도 조절부는 액화 질소 가스로 흡착부를 냉각시키는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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청구항 1항에 있어서,챔버에 연결되는 가스 분석 모듈을 더 포함하는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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청구항 3항에 있어서,가스 회수 모듈은,흡착부와 제 2 컨센트레이션 밸브의 사이의 제 3 라인에서 분기되어 챔버로 연결된 제 4 라인; 및제 4 라인에 배치된 회수 밸브를 포함하는 반도체 공정용 가스 회수 장치
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