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투명 기판과,상기 기판의 상부에 형성되는 투명 전극층과,상기 전극층의 상부에 형성되는 격자 매칭층과,상기 격자 매칭층을 결정 핵으로 하여 증착되는 버퍼층 및 상기 버퍼층의 상면에 형성되는 단결정층을 포함하며,상기 격자 매칭층은 상기 버퍼층 및 단결정층과 격자 상수가 동일 또는 유사한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정층 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 격자 매칭층은 상기 전극층의 상면에 단결정 입자들이 분산되어 형성되거나, 박막 형태로 형성되며,상기 버퍼층은 상기 격자 매칭층의 상면에 박막 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정층 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 단결정층 구조체는 상기 전극층의 상면에 형성되는 전극 보호층을 더 포함하며,상기 격자 매칭층은 상기 전극 보호층의 상면에 단결정 입자들이 분산되어 형성되거나, 박막 형태로 형성되며,상기 버퍼층은 상기 전극 보호층을 포함하는 격자 매칭층의 상면에 박막 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정층 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 단결정층은 GaN을 포함하는 n-type 반도체층 또는 p-type 반도체층으로 형성되며,상기 격자 매칭층은 사파이어, AlGaN, InGaN, GaN, CrN, MgAl2O4, Gd2O3, Ga2O3, SiC, TiN, AlN, Si, ZnO, MgO, CdO, MgZnO, CdZnO 및 BN중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정층 구조체
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기판의 상면에 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계와,상기 전극층의 상부에 격자 매칭층을 형성하는 격자 매칭층 형성 단계와,상기 전극층의 상부에서 상기 격자 매칭층을 결정 핵으로 하여 버퍼층을 증착시키는 버퍼층 형성 단계 및상기 버퍼층의 상면에 단결정층을 형성하는 단결정층 형성 단계를 포함하며,상기 격자 매칭층은 상기 버퍼층 및 단결정층과 격자 상수가 동일 또는 유사한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정층 구조체 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 격자 매칭층 형성 단계는 스퍼터링 공정, 졸-겔 공정 또는 입자 분산 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정층 구조체 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 버퍼층 형성 단계는 400 ∼ 600℃의 공정 온도 범위에서 진행되는 MOCVD 공정으로 진행되며,상기 단결정층 형성 단계는 1,000oC 이상의 공정 온도 범위에서 진행되는 MOCVD 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 단결정층 구조체 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 단결정층 구조체 제조 방법은 상기 전극층의 상부에 전극 보호층을 형성하는 전극 보호층 형성 단계를 더 포함하며,상기 격자 매칭층은 전극보호층의 상면에 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정층 구조체 제조 방법
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투명 기판과,상기 기판의 상부에 형성되는 제 1 투명 전극과,상기 전극층의 상부에 형성되는 격자 매칭층과,상기 격자 매칭층을 결정 핵으로 하여 증착되는 버퍼층과,상기 버퍼층의 상면에 형성되는 제 1 반도체층과,상기 제 1 반도체층의 상면에 형성되는 활성층과,상기 활성층의 상면에 형성되는 제 2 반도체층 및 상기 제 2 반도체층의 상면에 형성되는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디
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제 9 항에 있어서, 상기 격자 매칭층은 상기 제 1 전극의 상면에 단결정 입자들이 분산되어 형성되거나, 박막 형태로 형성되며,상기 버퍼층은 상기 제 1 전극의 상면에서 상기 단결정 입자의 사이를 포함하는 영역에 박막 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디
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11
제 9 항에 있어서, 상기 단결정층 구조체는 상기 제 1 전극의 상면에 형성되는 전극 보호층을 더 포함하며,상기 격자 매칭층은 상기 전극 보호층의 상면에 단결정 입자들이 분산되어 형성되거나, 박막 형태로 형성되며,상기 버퍼층은 상기 전극 보호층의 상면에서 상기 단결정 입자의 사이를 포함하는 영역에 박막 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디
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제 9 항에 있어서, 상기 단결정층은 GaN을 포함하는 n-type 반도체층 또는 p-type 반도체층으로 형성되며,상기 격자 매칭층은 사파이어, AlGaN, InGaN, GaN, CrN, MgAl2O4, Gd2O3, Ga2O3, SiC, TiN, AlN, Si, ZnO, MgO, CdO, MgZnO, CdZnO 및 BN중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디
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13
기판의 상면에 제 1 전극을 형성하는 제 1 전극 형성 단계와,상기 제 1 전극의 상부에 격자 매칭층을 형성하는 격자 매칭층 형성 단계와,상기 제 1 전극의 상부에서 상기 격자 매칭층을 결정 핵으로 하여 버퍼층을 증착시키는 버퍼층 형성 단계와,상기 버퍼층의 상면에 제 1 반도체층을 형성하는 과정과 상기 제 1 반도체층의 상면에 활성층을 형성하는 과정 및 상기 활성층의 상면에 제 2 반도체층을 형성하는 과정을 포함하는 엘이디층 형성 단계 및상기 제 2 반도체층의 상면에 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성 단계를 포함하며,상기 격자 매칭층은 상기 버퍼층 및 상기 제 1 반도체층과 격자 상수가 동일 또는 유사한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 모듈 제조 방법
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14
제 13 항에 있어서,상기 격자 매칭층 형성 단계는 스퍼터링 공정, 졸-겔 공정 또는 입자 분산 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 모듈 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 마이크로 엘이디 제조 방법은 상기 제 전극의 상부에 전극 보호층을 형성하는 전극 보호층 형성 단계를 더 포함하며,상기 격자 매칭층은 전극보호층의 상면에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 모듈 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 엘이디 셀의 상기 활성층과 제 2 반도체층을 포함하는 층을 패터닝하여 복수 개의 마이크로 엘이디를 포함하는 마이크로 엘이디 모듈로 형성하는 패터닝 단계를 더 포함하며,상기 패터닝 단계는 상부로부터 적어도 상기 활성층 및 상기 제 2 반도체층을 포함하는 층을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 모듈 제조 방법
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제 13 항에 따른 마이크로 엘이디 모듈 제조 방법에 의하여 기판의 상면에 격자 매칭층과 버퍼층 및 제 1 반도체층과 제 1 활성층 및 제 2 반도체층을 포함하는 제 1 엘이디층을 형성하는 제 1 엘이디층 형성 단계와,상기 제 1 엘이디층을 패터닝하여 제 1 마이크로 엘이디를 형성하는 제 1 마이크로 엘이디 형성 단계와,상기 제 1 마이크로 엘이디의 제 2 반도체층의 상면을 포함하는 영역에 제 1 마스크층을 형성하는 제 1 마스크층 형성 단계와,상기 기판의 상부에서 제 2 엘이디 영역에 대응되는 영역의 제 1 마스크층을 식각하여 제 2 엘이디 패턴을 형성하는 제 2 엘이디 패턴 형성 단계와,상기 제 2 엘이디 패턴의 내측에서 상기 제 1 반도체층의 상면에 제 2 활성층과 상기 제 2 반도체층을 형성하여 제 2 마이크로 엘이디 형성 단계와,상기 제 2 마이크로 엘이디의 제 2 반도체의 상면을 포함하는 영역에 제 2 마스크층을 형성하는 제 2 마스크층 형성 단계와,상기 기판의 상부에서 제 3 엘이디 영역에 대응되는 영역의 상기 제 2 마스크층을 식각하여 제 3 엘이디 패턴을 형성하는 제 2 엘이디 패턴 형성 단계와,상기 제 3 엘이디 패턴의 내측에서 상기 제 1 반도체층의 상면에 제 3 활성층과 상기 제 2 반도체층을 형성하여 제 3 마이크로 엘이디 형성 단계와,상기 제 1 마이크로 엘이디와 제 2 마이크로 엘이디이 상부에 위치하는 마스크층을 제거하는 마스크층 제거 단계 및상기 제 1 마이크로 엘이디와 제 2 마이크로 엘이디 및 제 3 마이크로 엘이디의 상기 제 2 반도체층의 상면에 각각 제 2 전극을 형성하는 제 2 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 모듈 제조 방법
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제 9 항 내지 제 12 항중 어느 하나의 항에 따른 마이크로 엘이디로 형성되며, 적색 파장을 발광하는 적어도 1 개의 R 픽셀과,제 9 항 내지 제 12 항중 어느 하나의 항에 따른 마이크로 엘이디로 형성되며, 녹색 파장을 발광하는 적어도 1개의 G 픽셀 및제 9 항 내지 제 12 항중 어느 하나의 항에 따른 마이크로 엘이디로 형성되며, 청색 파장을 발광하는 적어도 1개의 B 픽셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엘이디 모듈
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