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반도체 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2020016263
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 질화물 반도체층, 제2 질화물 반도체층 및 제3 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제3 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 제2 질화물 반도체층을 노출하는 제1 트렌치를 형성하는 단계; 상기 제1 트렌치에 의해 노출된 상기 제2 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 제2 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 제2 트렌치에 의해 노출된 상기 제2 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 제1 질화물 반도체층 상에 경사면을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 트렌치의 바닥은 상기 제2 질화물 반도체층의 상면 및 바닥면 사이에 위치하고, 상기 제2 트렌치의 바닥은 상기 제1 트렌치의 상기 바닥보다 낮으며, 상기 제2 트렌치의 바닥은 상기 제2 질화물 반도체층의 바닥면보다 높은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/868 (2006.01.01) H01L 29/40 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190108584 (2019.09.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0128333 (2020.11.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190051590   |   2019.05.02
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.05.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이형석 대전광역시 서구
2 배성범 대전시 유성구
3 김정진 전라북도 전주시 완산구
4 김진식 대전광역시 유성구
5 이종민 대전시 유성구
6 조규준 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0904788-66
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0550329-99
3 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0550330-35
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 순차적으로 적층된 제1 질화물 반도체층, 제2 질화물 반도체층 및 제3 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제3 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 제2 질화물 반도체층을 노출하는 제1 트렌치를 형성하는 단계;상기 제1 트렌치에 의해 노출된 상기 제2 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 제2 트렌치를 형성하는 단계; 및상기 제2 트렌치에 의해 노출된 상기 제2 질화물 반도체층의 일부 상에 식각 공정을 수행하여, 상기 제1 질화물 반도체층 상에 경사면을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제1 트렌치의 바닥은 상기 제2 질화물 반도체층의 상면 및 바닥면 사이에 위치하고,상기 제2 트렌치의 바닥은 상기 제1 트렌치의 상기 바닥보다 낮으며,상기 제2 트렌치의 바닥은 상기 제2 질화물 반도체층의 바닥면보다 높은 반도체 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전자통신연구원(ETRI) 산업기술혁신사업 전기자동차의 전력변환 효율 향상을 위한 400V 수직형 GaN-on-GaN 에피/전력소자 기술 개발