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플루오린화리튬-플로오린화칼륨(LiF-KF) 공융염 전해질을 준비하는 단계; 상기 플루오린화리튬-플로오린화칼륨(LiF-KF) 공융염 전해질에 인듐플로라이드(InF3)를 장입하여 상기 플루오린화리튬-플로오린화칼륨-인듐플로라이드(LiF-KF-InF3) 복합 용융염 전해질을 준비하는 단계; 상기 플루오린화리튬-플로오린화칼륨-인듐플로라이드(LiF-KF-InF3) 복합 용융염 전해질에 저순도의 인듐-주석(In-Sn) 합금을 투입하는 단계; 및상기 인듐-주석(In-Sn) 합금을 투입한 후 일정 전류를 인가하여 고순도 인듐(In) 금속을 회수하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 용융염 전해 정련을 이용한 인듐 금속의 불순물 제어방법
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제 1 항에 있어서, 플루오린화리튬-플로오린화칼륨(LiF-KF) 공융염 전해질에 상기 인듐플로라이드(InF3)를 5 내지 8wt%를 장입하는 것을 특징으로 하는 용융염 전해 정련을 이용한 인듐 금속의 불순물 제어방법
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제 1 항에 있어서, 상기 일정 전류를 인가하는 것은 전류 밀도 50mA/cm2 미만을 인가하여 주석을 분리계수를 감소시키는 것을 특징으로 하는 용융염 전해 정련을 이용한 인듐 금속의 불순물 제어방법
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제 1 항에 있어서, 상기 일정 전류를 인가하는 것은 전류 밀도 25mA/cm2 초과 45mA/cm2미만을 인가하여 크롬, 철, 망간, 니켈, 알루미늄, 텅스텐의 분리계수를 감소시키는 것을 특징으로 하는 용융염 전해 정련을 이용한 인듐 금속의 불순물 제어방법
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제 1 항에 있어서, 상기 일정 전류를 인가하는 것은 30 내지 45mA/cm2의 전류 밀도 범위에서 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 용융염 전해 정련을 이용한 인듐 금속의 불순물 제어방법
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제 1 항에 있어서, 상기 회수된 고순도 인듐 금속은 순도가 98% 이상인 것을 특징으로 하는 용융염 전해 정련을 이용한 인듐 금속의 불순물 제어방법
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제 1 항에 있어서, 상기 저순도의 인듐-주석(In-Sn) 합금을 투입하는 단계는, 양극 내부에 마련된 중공부를 통해 상기 인듐-주석(In-Sn) 합금을 양극도가니에 연속 공급하는 것을 특징으로 하는 용융염 전해 정련을 이용한 인듐 금속의 불순물 제어방법
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제 7 항에 있어서, 상기 고순도 인듐(In) 금속을 회수하는 단계는, 상기 양극 및 음극에 전류를 인가하며, 상기 양극 외부에는 산화물 시스(sheath)가 장착되는 것을 특징으로 하는 용융염 전해 정련을 이용한 인듐 금속의 불순물 제어방법
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