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탄소 코팅된 그래핀, 실리콘 나노입자, 탄소나노튜브를 포함하는 리튬이차전지 음극재용 복합체, 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020016471
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 리튬이차전지 음극재용 복합체로서, 그래핀, 실리콘 나노입자, 탄소나노튜브를 포함하는 복합체 표면이 탄소로 코팅된 복합체 및 이의 제조 방법이 제공된다. 본 개시의 복합체는 탄소가 코팅된 그래핀/실리콘/탄소나노튜브 (C@rGO/Si/CNT) 마이크로볼 복합체 상태로 제조되기 때문에 복잡한 화학 반응 없이 손쉽게 탄소나노튜브의 용매 선택성 및 분산성을 제어 할 수 있으며, 그 자체로 전자 이동이 매우 빠르며, 추가 공정이 없어도 되는 장점을 지니고 있다. 또한 취급이 용이하기 때문에 추후 흑연을 대체하는 음극물질로 기대효과가 매우 크다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/587 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) C01B 33/02 (2006.01.01) C01B 32/198 (2017.01.01) C01B 32/168 (2017.01.01) C01B 32/05 (2017.01.01) C23C 16/26 (2006.01.01) C23C 16/44 (2006.01.01)
CPC H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01)
출원번호/일자 1020190058230 (2019.05.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0133134 (2020.11.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.05.17)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양철민 전라북도 완주군
2 조아해 대전광역시 유성구
3 김소연 전라북도 완주군
4 유재상 전라북도 완주군
5 이민욱 전라북도 완주군
6 김민국 전라북도 완주군
7 나원진 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0507880-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0141862-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0753474-08
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번호 청구항
1 1
3차원 탄소나노튜브 매트릭스 구조를 갖는 마이크로볼;상기 탄소나노튜브 매트릭스 구조에 분산된 그래핀 및 실리콘 나노입자; 및상기 마이크로볼 복합체의 표면에 구비된 탄소 코팅층;을 포함하며,상기 마이크로볼 복합체는 복수의 미세 공극을 갖는, 마이크로볼 복합체
2 2
제1항에 있어서, 상기 3차원 탄소나노튜브 매트릭스 구조는 복수의 탄소나노튜브가 서로 엉켜 형성된 구조물 (tangled structure)인, 마이크로볼 복합체
3 3
제1항에 있어서, 상기 마이크로볼 복합체는 그래핀, 실리콘 나노입자, 탄소나노튜브를 코어 (core)로 하고, 표면에 구비된 탄소를 쉘 (shell)로 하는 코어-쉘 (core-shell) 구조인, 복합체
4 4
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 종횡비 (aspect ratio)를 5×102 내지 3×103 로 갖는, 마이크로볼 복합체
5 5
제1항에 있어서, 상기 마이크로볼 복합체는 구형의 입자 형상인, 마이크로볼 복합체
6 6
제5항에 있어서, 상기 마이크로볼 복합체는 평균 직경이 1~100 ㎛인, 마이크로볼 복합체
7 7
제1항에 있어서, 상기 그래핀은 환원된 산화그래핀 (rGO)인, 복합체
8 8
제1항에 있어서, 복수의 그래핀이 입체적으로 서로 연결되어 네트워크를 이루는, 마이크로볼 복합체
9 9
제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노입자 함량은 복합체 총 중량에 대해 70 내지 90 wt%인, 마이크로볼 복합체
10 10
제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노입자는 평균 입경이 1 내지 100 nm인, 마이크로볼 복합체
11 11
제1항에 있어서, 상기 마이크로볼 복합체는 20 내지 100 m2g-1의 비표면적을 갖는, 마이크로볼 복합체
12 12
제1항에 있어서, 상기 마이크로볼 복합체는 실리콘 나노입자 외에 금속계 음극활물질을 더 포함하는 것인, 마이크로볼 복합체
13 13
제12항에 있어서, 상기 금속계 음극활물질은 Sn, Al, Ge, Pb, Zn, Co, Cu, Ti, Ni, Li, Ag, 및 Au로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 금속, 이들의 합금, 또는 산화물인 것인, 마이크로볼 복합체
14 14
제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항의 마이크로볼 복합체를 음극활물질로 포함하는 리튬이차전지 음극
15 15
제14항에 있어서, 상기 마이크로볼 복합체는 접촉 저항이 감소된 것인, 리튬이차전지 음극
16 16
산화그래핀, 실리콘 나노입자, 및 탄소나노튜브를 함유하는 분산 용액 제조 단계;상기 분산 용액을 분무 및 건조하여 예비 마이크로볼 복합체를 형성하는 단계; 및상기 예비 마이크로볼 복합체의 표면에 탄소 코팅층을 형성하여 마이크로볼 복합체를 제조하는 단계;를 포함하는 마이크로볼 복합체 제조 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 분산 용액 제조 단계는 산화그래핀을 용매에 담지하고 실리콘 나노입자와 탄소나노튜브를 분산시키는 단계를 포함하는, 마이크로볼 복합체 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 용매는 증류수 또는 극성 유기용매인, 마이크로볼 복합체 제조방법
19 19
제16항에 있어서, 상기 예비 마이크로볼 복합체 형성 단계는 70 내지 90 ℃ 온도에서 100 내지 500 mL/h으로 상기 분산 용액을 분무하는 것을 포함하는, 마이크로볼 복합체 제조방법
20 20
제16항에 있어서, 탄소 코팅층 형성 단계는 탄소 분위기 하에서 500 내지 1000 ℃의 온도에서 화학기상증착 (chemical vapor deposition)하는 것을 포함하는, 마이크로볼 복합체 제조방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 탄소 분위기는 메탄 (CH4), 아세틸렌 (C2H2), 에틸렌 (C2H4), 톨루엔 (C7H8), 또는 자일렌 (C8H10) 기체 분위기를 포함하는, 마이크로볼 복합체 제조방법
22 22
제16항에 있어서, 상기 탄소 코팅층 형성 단계는 코팅용 고분자 또는 탄소 물질을 예비 마이크로볼 복합체의 표면에 도포하고 열처리하는 것을 포함하는, 마이크로볼 복합체 제조방법
23 23
제22항에 있어서, 상기 코팅용 고분자 또는 탄소 물질은 폴리아크릴로나이트릴 (PAN,polyacrylonitrile), 폴리비닐알콜 (PVA, polyvinylalcohol), 폴리이미드 (PI, polyimide), 폴리벤질이미다졸 (PBI, polybenzimidazol), 페놀 수지 (phenol resin), 에폭시 수지 (epoxy resin), 폴리에칠렌 (PE, polyethylene), 폴리프로필렌 (PP, polypropylene), 폴리비닐클로라이드 (PVC, polyvinylchloride), 폴리스타이렌 (PS, polystyrene), 폴리아닐린 (PA, polyaniline), 폴리메칠메타클레이트 (PMMA, polymethylmethacrylate), 폴리비닐리덴클로라이드 (PVDC, polyvinylidene chloride), 폴리비닐리덴 플루오라이드 (PVDF, polyvinylidene fluoride), 및 피치 (pitch)로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는, 마이크로볼 복합체 제조방법
24 24
제20항 또는 제22항에 있어서, 상기 탄소 코팅층 형성 단계에서, 산화그래핀 (GO)이 환원되어 환원된 산화그래핀 (rGO)을 형성하는, 마이크로볼 복합체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 나노·소재기술개발(R&D) 산화그래핀 기반 고분산/고농도 전도성 그래핀-고분자 중간재 제조기술 개발
2 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 나노·소재기술개발(R&D) 산화그래핀 기반 고분산/고농도 전도성 그래핀-고분자 중간재 제조기술 개발