| 1 |
1
제1 전도성 고분자를 포함하는 제1 전도성 고분자층;제1 전도성 고분자층 상에 위치하고, 전도성 나노소재를 포함하는 전도층;상기 전도층 상에 위치하고, 경화성 고분자를 포함하는 고정 고분자층; 및상기 고정 고분자층 상에 위치하고, 지지층을 포함하는 유연기재;를 포함하고,상기 유연기재가 열가소성 고분자를 포함하는 유동 고분자층을 상기 지지층 상에 추가로 포함하고, 상기 유동 고분자층이 상기 고정 고분자층과 상기 지지층 사이에 위치하는 것인, 전극
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 열가소성 고분자가 반결정성 고분자(semicrystalline polymer)인 것을 특징으로 하는 전극
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 반결정성 고분자가 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 선형저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 중밀도 폴리에틸렌(MDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 이소택틱 폴리프로필렌(isotactic PP), 신디오택틱 폴리프로필렌(syndiotactic PP), 폴리아미드(PA), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 및 폴리에틸렌옥사이드(PEO)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극
|
| 5 |
5
제3항에 있어서, 상기 반결정성 고분자의 녹는점(melting point, Tm)이 40℃ 내지 180℃에 포함되는 것을 특징으로 하는 전극
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 반결정성 고분자의 녹는점(melting point, Tm)이 50℃ 내지 150℃에 포함되는 것을 특징으로 하는 전극
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 전극이 제2 전도성 고분자를 포함하는 제2 전도성 고분자층을 추가로 포함하고,상기 제2 전도성 고분자층이 상기 전도층과 상기 고정 고분자층 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 전극
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 제1 전도성 고분자 및 제2 전도성 고분자가 각각 독립적으로 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate), poly (acetylene), poly (pyrrole), poly (thiophene), poly (para-phenylene), poly (phenylene sulfide), poly (para-phenylene vinylene), 및 polyaniline 으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 전도성 나노소재는 나노와이어, 메쉬, 구, 타원, 다면체 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 형상의 입자인 것을 특징으로 하는 전극
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 전도성 나노소재는 Ag, Au, Al, Ag, Be, Bi, Co, Cu, Cr, Hf, In, Mn, Mo, Mg, Ni, Nb, Pb, Pd, Pt, Rh, Re, Ru, Sb, Ta, Te, Ti,V, W, Zr, 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 유연기재가 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리카보네이트 및 폴리메틸메타크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 경화성 고분자는 에폭시수지, 페놀수지, 요소수지, 실리콘수지, 폴리우레탄, 폴리이미드, 아크릴, 및 아크릴레이트 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극
|
| 13 |
13
제1항에 따른 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되고, 유기 반도체를 포함하는 유기 반도체층; 및상기 유기 반도체층 상에 위치하는 제2 전극;을포함하는 유기광전소자
|
| 14 |
14
(a) 지지층을 포함하는 유연기재를 포함하는 상판을 제공하는 단계;(b) 하판을 제공하는 단계; 및(c) 상기 상판과 상기 하판을 결합하는 단계;를 포함하고,상기 단계 (b)는(b-1) 제1 전도성 고분자를 포함하는 용액을 희생층 상에 도포하고 건조하여 제1 전도성 고분자층을 형성하는 단계;(b-2) 전도성 나노소재를 포함하는 용액을 상기 제1 전도성 고분자층 상에 도포하고 건조하여 전도층을 형성하는 단계; 및(b-3) 경화성 고분자를 포함하는 용액을 상기 전도층 상에 도포하여 고정 고분자층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 유연기재가 열가소성 고분자를 포함하는 유동 고분자층을 상기 지지층 상에 추가로 포함한 것이고, 단계 (c)는 상기 고정 고분자층과 상기 유동 고분자층을 마주 보게 하고, 상기 고정 고분자층 상에 지지층과 유동 고분자층을 포함하는 유연기재를 위치시키고, 경화하여 상기 상판과 상기 하판을 결합시키는 단계 (c'')인 것인,전극의 제조방법
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
제14항에 있어서, 상기 전극의 제조방법이 상기 단계 (b-2)와 (b-3)사이에상기 전도층 상에 제2 전도성 고분자를 포함하는 용액을 도포하고 건조하여 상기 제2 전도성 고분자를 포함하는 제2 전도성 고분자층을 형성하는 단계 (b'-2)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법
|
| 17 |
17
제14항에 있어서, 단계 (b-1) 내지 (b-3)가 스핀코팅, 딥코팅, 롤투롤 코팅, 슬롯 코팅, 바 코팅, 블레이드 코팅, 스프레이 코팅, 노즐젯 프린팅, 잉크젯 프린팅, 임프린팅으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 수행되고,단계 (c')의 경화가 열경화 또는 광경화인 것을 특징으로 하는 상기 전극의 제조방법
|
| 18 |
18
제14항에 있어서,상기 전극의 제조방법이단계 (c) 후에 상기 희생층을 상기 하판에서 제거하는 단계(d)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법
|
| 19 |
19
(1) 제14항에 따른 제1 전극을 포함하는 상부 전극을 제조하는 단계;(2) 제2 전극 및 상기 제2 전극 상에 형성된 유기 반도체층을 포함하는 하부 전극을 제조하는 단계; 및(3) 상기 상부 전극의 제1 전도성 고분자층과 상기 하부 전극의 상기 유기 반도체층을 마주 보게 하고, 가압 및 가열하여 상기 상부 전극과 상기 하부 전극을 결합시키는 단계;를포함하는 유기광전소자의 제조방법
|
| 20 |
20
제19항에 있어서, 상기 단계 (3)의 가열이 아래 온도(T)에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기광전소자의 제조방법:[식 1]Tm - 30 ≤ T 003c# Tm + 30 (Tm은 열가소성 고분자의 녹는점)
|
