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정렬된 안티몬이 도핑된 산화주석 나노선의 제조방법 및 안티몬이 도핑된 산화주석 3차원 나노 구조체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020016867
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 정렬된 안티몬이 도핑된 산화주석 나노선의 제조방법 및 안티몬이 도핑된 산화주석 3차원 나노 구조체의 제조방법에 관한 것으로, 안티몬과 산화주석을 동시에 목표하는 기판에 증착시킬 수 있을 뿐만 아니라 센서를 통해 각 물질의 양을 조절할 수 있다는 장점을 가지며, 마스터 패턴이 형성된 마스터 기판을 목표 기판으로 사용하여 정렬된 형태의 나노선으로 제조할 수 있기 때문에, 기존의 제조방법에서 발생하는 안티몬이 도핑된 산화주석이 반응 중에 서로 엉키거나 뭉치는 문제를 해결할 수 있다. 또한, 전자빔 증착방법을 이용하여 기판에 안티몬과 산화주석을 증착한 후 열처리하는 공정에 의해 정렬된 나노선을 제조할 수 있어서 복합한 합성 방법 등이 요구되지 않는다는 장점을 가진다.
Int. CL C23C 14/08 (2006.01.01) C23C 14/18 (2006.01.01) C23C 14/30 (2006.01.01) C23C 14/04 (2006.01.01) C23C 14/00 (2018.01.01) C23C 14/58 (2006.01.01) B29C 41/08 (2006.01.01) C01G 19/02 (2006.01.01) B29K 33/00 (2006.01.01)
CPC C23C 14/086(2013.01) C23C 14/18(2013.01) C23C 14/30(2013.01) C23C 14/04(2013.01) C23C 14/0005(2013.01) C23C 14/5806(2013.01) B29C 41/08(2013.01) C01G 19/02(2013.01) B29K 2033/12(2013.01) C01P 2002/54(2013.01)
출원번호/일자 1020190059480 (2019.05.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0134021 (2020.12.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연식 대전광역시 유성구
2 이규락 대전광역시 유성구
3 김예지 대전광역시 유성구
4 한혁진 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0519824-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
일정 간격의 요철이 다수 형성된 마스터몰드에 하이드록실-말단 고분자 층을 형성하는 단계;상기 하이드록실-말단 고분자 층이 형성된 마스터몰드의 상면에 아크릴 수지층을 형성하는 단계;상기 아크릴 수지층과 상기 마스터몰드를 분리하여 일면에 상기 요철 형상의 역상을 갖는 베이스 기판을 제조하는 단계;상기 베이스 기판의 요철이 형성된 면에 전자빔(E-beam) 증착을 이용하여 산화주석 및 안티몬을 순차적으로 증착하여 산화주석 및 안티몬의 다층 구조를 제조하는 단계;상기 산화주석 및 안티몬의 다층 구조를 타겟 기판에 전사하는 단계; 및상기 산화주석 및 안티몬의 다층 구조를 열처리하여 안티몬을 산화주석에 도핑하는 단계;를 포함하는 정렬된 안티몬이 도핑된 산화주석 나노선의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 일정 간격은 10 nm 내지 5 ㎛인 정렬된 안티몬이 도핑된 산화주석 나노선의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 하이드록실-말단 고분자는 하이드록실-말단 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 하이드록실-말단 PS(polystyrene)인 정렬된 안티몬이 도핑된 산화주석 나노선의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 아크릴 수지는 PMMA(polymethylmethacrylate), 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트 및 t-부틸아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 정렬된 안티몬이 도핑된 산화주석 나노선의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 아크릴 수지층의 형성은 아세톤, 톨루엔 및 헵탄으로 이루어진 용매에 상기 아크릴 수지가 1 내지 10 중량%로 함유되는 용액을 코팅하여 수행되는 정렬된 안티몬이 도핑된 산화주석 나노선의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 아크릴 수지층과 상기 마스터몰드를 분리하여 일면에 상기 요철 형상의 역상을 갖는 베이스 기판을 제조하는 단계는, 접착 필름을 상기 아크릴 수지층에 접착시킨 후 잡아당겨 상기 마스터몰드로부터 상기 아크릴 수지층을 분리하는 것인 정렬된 안티몬이 도핑된 산화주석 나노선의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 산화주석 및 안티몬의 다층 구조를 타겟 기판에 전사하는 단계는, 상기 접착 필름을 유기용매 증기에 노출시키는 단계를 추가로 포함하는 정렬된 안티몬이 도핑된 산화주석 나노선의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 열처리는 비활성 기체 분위기 및 500 내지 700 ℃의 온도에서 1 내지 10 시간 동안 이루어지는 것인 정렬된 안티몬이 도핑된 산화주석 나노선의 제조방법
9 9
일정 간격의 요철이 다수 형성된 마스터몰드에 하이드록실-말단 고분자 층을 형성하는 단계;상기 하이드록실-말단 고분자 층이 형성된 마스터몰드의 상면에 아크릴 수지층을 형성하는 단계;상기 아크릴 수지층과 상기 마스터몰드를 분리하여 일면에 상기 요철 형상의 역상을 갖는 베이스 기판을 제조하는 단계;상기 베이스 기판의 요철이 형성된 면에 전자빔(E-beam) 증착을 이용하여 산화주석 및 안티몬을 순차적으로 증착하여 산화주석 및 안티몬의 다층 구조를 제조하는 단계;상기 산화주석 및 안티몬의 다층 구조를 타겟 기판에 전사하는 단계; 상기 산화주석 및 안티몬의 다층 구조를 1 내지 50 회 적층하는 단계; 및상기 적층된 산화주석 및 안티몬의 다층 구조를 열처리하여 안티몬을 산화주석에 도핑하는 단계;를 포함하는 안티몬이 도핑된 산화주석 3차원 나노 구조체의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 적층은 상기 산화주석 및 안티몬의 다층 구조가 직전에 적층된 상기 산화주석 및 안티몬의 다층 구조와 70 내지 90°의 각도를 이루도록 실시되는 안티몬이 도핑된 산화주석 3차원 나노 구조체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 외국연구사업 나노전사프린팅을 통한 높은 이산화탄소 환원 효율을 갖는 삼차원 나노아키텍쳐 촉매 구현