| 1 |
1
고출력 마그네트론에 있어서,음극과 양극을 포함하는 이극관 및상기 이극관에 형성되는 전기장을 가변시키는 복수의 튜너부를 포함하되,상기 튜너부는 튜너갭만큼 이격되어 형성된 튜너핀 및 튜너로드를 포함하고, 상기 복수의 튜너부는 상호 비대칭 구조인 것을 특징으로 하는 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 복수의 튜너부에 포함된 각각의 튜너핀은 상호 형상이 다른 구조인 것을 특징으로 하는 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 복수의 튜너부에 포함된 각각의 튜너핀은 상호 단면적이 다른 기둥 형상인 것을 특징으로 하는 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 복수의 튜너부에 포함된 각각의 튜너핀은 상호 높이가 다른 기둥 형상인 것을 특징으로 하는 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 복수의 튜너부에 포함된 각각의 튜너로드는 상호 형상이 다른 구조인 것을 특징으로 하는 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 복수의 튜너부에 포함된 각각의 튜너로드는 상호 단면적이 다른 기둥 형상인 것을 특징으로 하는 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 복수의 튜너부에 포함된 각각의 튜너로드는 상호 높이가 다른 형상인 것을 특징으로 하는 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 복수의 튜너부에 포함된 각각의 튜너갭은 상호 갭의 크기가 다른 것을 특징으로 하는 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론의 내부 공진주파수 및 전력은 상기 튜너갭 조절에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론의 내부 공진주파수 및 전력은, 하나의 튜너갭 조절에 의해 결정되고, 그 외의 튜너갭은 고정되는 것을 특징으로 하는 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 튜너핀은 금속, 유전체 및 금속과 유전체의 접합 구조 중 어느 하나로 제작된 것을 특징으로 하는 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론; 및상기 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론과 연결되어, 상기 비대칭 튜너부를 포함하는 고출력 마그네트론에서 발생된 전자기파 에너지를 이용하여 입자를 가속시키는 입자 가속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 가속기
|
