| 1 |
1
서로 마주하는 제1 전극과 제2 전극, 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 정공수송층 및 발광층을 포함하고, 상기 정공수송층은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물 또는 이의 중합체를 포함하고, 상기 발광층은 페로브스카이트(perovskite) 화합물을 포함하는, 광전자 소자:[화학식 1] 상기 화학식 1에서,R20은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아릴기이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아렌기이고, R21 및 R22는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아릴기이고,m과 n은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,R20, Ar1, R21 및 R22 중 적어도 하나는 중합성 작용기를 가진다
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1로 표시되는, 광전자 소자:[화학식 1-1]상기 화학식 1-1에서,R20은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아릴기이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아렌기이고, R21 및 R22는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아릴기이고,m과 n은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,R20, Ar1, R21 및 R22 중 적어도 하나는 중합성 작용기를 가진다
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아렌기인, 광전자 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 R20은 중합성 작용기로 치환된 C6 내지 C20 아릴기인, 광전자 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 중합성 작용기는 비닐기, 알릴기, 에폭시기, 아크릴레이트기 및 메타크릴레이트기에서 선택되는, 광전자 소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 정공수송층은 제1 정공수송층 및 제2 정공수송층을 포함하고,상기 제1 정공수송층은 상기 제1 전극과 제2 정공수송층 사이에 위치하고,상기 제2 정공수송층은 상기 제1 정공수송층과 발광층 사이에 위치하고,상기 화학식 1로 표현되는 화합물 또는 이의 중합체는 상기 제2 정공수송층에 포함되는, 광전자 소자
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 제1 정공수송층은 폴리(9,9-디옥틸-플루오렌-코-N-(4-부틸페닐)-디페닐아민), 폴리아릴아민, 폴리(N-비닐카바졸)(poly(N-vinylcarbazole), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리스티렌 설포네이트, 폴리아닐린, 폴리피롤, N,N,N',N'-테트라키스(4-메톡시페닐)-벤지딘, 4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, m-MTDATA, 4,4',4"-트리스(N-카바졸릴)-트리페닐아민, 1,1-비스(디-4-토일아미노)페닐시클로헥산, p형 금속 산화물, 그래핀옥사이드 또는 이들의 조합을 포함하는, 광전자 소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 정공수송층은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물의 중합체를 포함하고,상기 중합체는 하기 화학식 2로 표현되는, 광전자 소자:[화학식 2] 상기 화학식 2에서,L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아렌기이고, R21 및 R22는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아릴기이고,m과 n은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,L1, Ar1, R21 및 R22 중 적어도 하나는 중합성 작용기를 가진다
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 화학식 2은 하기 화학식 2-1로 표현되는, 광전자 소자:[화학식 2-1]상기 화학식 2-1에서,L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아렌기이고, R21 및 R22는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아릴기이고,m과 n은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,L1, Ar1, R21 및 R22 중 적어도 하나는 중합성 작용기를 가진다
|
| 10 |
10
제8항에 있어서, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아렌기인, 광전자 소자
|
| 11 |
11
제8항에 있어서, 상기 L1은 중합성 작용기로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기인, 광전자 소자
|
| 12 |
12
제1항에 있어서, 상기 중합체는 2000 g/mol 내지 7000 g/mol의 중량평균분자량을 가지는 광전자 소자
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트(perovskite) 화합물은 청색 페로브스카이트(perovskite) 화합물 또는 녹색 페로브스카이트(perovskite) 화합물인, 광전자 소자
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 광전자 소자는 제2 전극과 발광층 사이에 전자 수송층을 더 포함하는, 광전자 소자
|
