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테라헤르츠 변조기, 테라헤르츠 변조기의 사용방법

  • 기술번호 : KST2020017039
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 테라헤르츠 변조기에는, 기판상에 제공되는 한 쌍의 배선; 상기 배선에서 연장되고 서로 인접하는 한 쌍의 가지; 및 상기 가지를 연결하는 반도체 채널을 포함하는 단위셀이, 다수개 정렬되고, 상기 반도체 체널의 키네틱 인덕턴스의 임피던스는 상기 단위셀의 기생저항보다 크거나 같다. 본 발명에 따르면 테라헤르츠 변조기의 공진 주파수를 두 개 이상 얻을 수 있다.
Int. CL H03C 7/02 (2018.01.01)
CPC H03C 7/025(2013.01) H03C 2200/0008(2013.01)
출원번호/일자 1020190053337 (2019.05.07)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0129004 (2020.11.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.05.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장재형 광주광역시 북구
2 황지현 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동 현죽빌딩)(한미르특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-0466137-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2019-0041479-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0768339-93
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.12.09 1-1-2020-1337299-44
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-1337298-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 제공되는 한 쌍의 배선; 상기 배선에서 연장되고 서로 인접하는 한 쌍의 가지; 및 상기 가지를 연결하는 반도체 채널을 포함하는 단위셀이, 다수개 정렬되고, 상기 반도체 채널의 키네틱 인덕턴스의 임피던스는 상기 단위셀의 기생저항보다 크거나 같은 테라헤르츠 변조기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 채널의 캐패시턴스의 임피던스는 상기 단위셀의 기생저항보다 크거나 같은 테라헤르츠 변조기
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 단위셀은 마이크로 스케일의 크기로 제공되는 테라헤르츠 변조기
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 채널은, InGaAs/InAlAs, AlGaAs/GaAs, 및 InAlGaN/GaN 중 하나의 이종접합구조(heterostructure)에 기반한 반도체 층인 테라헤르츠 변조기
5 5
단일의 테라헤르츠 변조기를 이용하여 원하는 변조주파수가 조정되는 것; 및 조정된 변조주파수에 대응하여 상기 테라헤르츠 변조기가 동작되는 것이 포함되는 테라헤리츠 변조기의 사용방법
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제 5 항에 있어서, 상기 테라헤르츠 변조기는 적어도 두 개의 주파수 중에서 변조주파수가 선택되는 테라헤르츠 변조기의 사용방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 광주과학기술원 중견연구 전기적으로 재구성 가능한 메타물질기반 테라헤르츠 소자 연구