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광전기화학 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광전기화학 셀

  • 기술번호 : KST2020017042
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 광전기화학 전극의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은, 전도성 투명 기판 상에 산화아연 박막을 형성하는 단계, 상기 산화아연 박막을 표면개질하는 단계 및 상기 표면개질된 산화아연 박막 상에 수열 합성에 의해 산화아연 나노 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 것으로, 상기 산화아연 나노 어레이는 이종 전이금속이 도핑된 산화아연 나노입자들을 포함하는 것일 수 있다. 이에 따라 형성된 광전기화학 전극은 가시광선 영역의 광에 의하여 우수한 광촉매 활성을 나타내어, 액상의 고부가 가치 물질인 글리세린산 및 친환경 에너지원인 수소를 높은 효율로 생성하는 것일 수 있다.
Int. CL C25B 11/04 (2006.01.01) C25B 1/00 (2006.01.01) C25B 3/02 (2006.01.01) C23C 18/12 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC C25B 11/0405(2013.01) C25B 11/0452(2013.01) C25B 1/003(2013.01) C25B 3/02(2013.01) C23C 18/1216(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/032(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020190057297 (2019.05.16)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0132191 (2020.11.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.05.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상한 광주광역시 북구
2 이유빈 광주광역시 북구
3 김승규 광주광역시 북구
4 최창혁 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0499985-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0177654-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0846831-53
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번호 청구항
1 1
전도성 투명 기판 상에 산화아연 박막을 형성하는 단계;상기 산화아연 박막을 표면개질하는 단계; 및상기 표면개질된 산화아연 박막 상에 수열 합성에 의해 산화아연 나노 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 것으로,상기 산화아연 나노 어레이는 이종 전이금속이 도핑된 산화아연 나노입자들을 포함하는 것인, 광전기화학 전극의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 광전기화학 전극은 글리세롤의 선택적 산화 전극인, 광전기화학 전극의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 이종 전이금속은 전이금속 이온의 반지름이 아연 이온의 반지름과 유사한 크기인 것을 이용하는 것인, 광전기화학 전극의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 산화아연 박막을 표면개질하는 단계는, 상기 산화아연 박막을 에칭시키는 방법을 이용하는 것인, 광전기화학 전극의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 산화아연 나노 어레이를 형성하는 단계는,산화아연 전구체 및 전이금속 전구체를 용매에 혼합한 용액을 제조하는 단계; 및상기의 용액에 상기 표면개질된 산화아연 박막이 증착된 기판을 함침시키는 단계를 포함하는 것인, 광전기화학 전극의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 전이금속 전구체의 함량은 상기 산화아연 전구체 함량의 1 내지 10mol%, 광전기화학 전극의 제조방법
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전도성 투명 기판;상기 전도성 투명 기판 상에 표면개질된 산화아연 박막; 및상기 산화아연 박막 상에 산화아연 나노 어레이를 포함하는 것으로,상기 산화아연 나노 어레이는 이종 전이금속이 도핑된 산화아연 나노입자들을 포함하는 것인, 광전기화학 전극
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1 광주과학기술원 광주과학기술원 GIST 개발과제 저 전력 구동 살균 수 생산 장치 원천기술 개발