1 |
1
탄소 층; 상기 탄소 층의 표면에 증착되어 형성된 금속 산화물 층; 및 상기 금속 산화물 층의 표면에 도포된 황;을 포함하는 리튬 이차전지용 양극
|
2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 금속 산화물 층은 무기금속을 포함하고, 상기 무기금속은 티타늄, 망간, 주석, 니켈, 코발트, 마그네슘, 알루미늄, 세륨, 철, 바나듐 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 양극
|
3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 금속 산화물 층은 금속 이산화물, 금속 삼산화물 및 금속 사산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 양극
|
4 |
4
청구항 3에 있어서, 상기 금속 산화물은 이산화티타늄(TiO2), 이산화망간(MnO2) 및 이산화주석(SnO2)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 양극
|
5 |
5
청구항 1에 있어서, 상기 금속 산화물 층의 두께는 10 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 양극
|
6 |
6
청구항 1에 있어서, 상기 금속 산화물 층은 상기 탄소 층의 표면 일부 또는 전체에 선택적으로 증착 형성되는 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 양극
|
7 |
7
청구항 1에 있어서, 상기 금속 산화물 층의 함량은 상기 탄소 층의 전체 중량 100 중량부에 대하여 0
|
8 |
8
청구항 1에 있어서, 상기 금속 산화물 층에는 기공이 형성되어 있고, 상기 기공의 공극률은 40 내지 90 %이며, 상기 황은 상기 금속 산화물 층의 기공이나 탄소재의 기공 중 어느 하나 이상에 흡착된 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 양극
|
9 |
9
청구항 1에 있어서, 상기 탄소 층은 탄소재를 포함하고, 상기 탄소재는 탄소나노튜브(CNT), 탄소나노튜브 페이퍼(CNT paper), 그라파이트 나노파이버(GNF), 카본 나노파이버(CNF), 활성화 탄소 파이버(ACF) 및 이들 중 둘 이상의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 양극
|
10 |
10
청구항 9에 있어서, 상기 탄소재는 카본 나노파이버-단일벽 탄소나노튜브 페이퍼(CNF-SWCNT paper)인 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 양극
|
11 |
11
(a) 탄소재를 포함하는 탄소 필름을 제조하는 단계; (b) 상기 제조된 탄소 필름의 표면에 금속 산화물을 증착시켜 탄소 층/금속 산화물 층의 이중층 전극을 제조하는 단계; (c) 상기 제조된 전극을 열처리하는 단계; 및 (d) 상기 열처리된 전극에 황을 도포한 후 열처리하는 단계;를 포함하는 리튬 이차전지용 양극의 제조방법
|
12 |
12
청구항 11에 있어서, 상기 (b) 단계의 증착은 열 증착, 레이저 펄스 증착 및 화학기상 증착으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방식에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 양극의 제조방법
|
13 |
13
청구항 11에 있어서, 상기 (b) 단계의 금속 산화물은 금속 일산화물이며, 상기 (c) 단계의 열처리를 통하여 금속 이산화물, 금속 삼산화물 및 금속 사산화물 중 어느 하나로 전환되는 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 양극의 제조방법
|
14 |
14
청구항 11에 있어서, 상기 (c) 단계의 열처리는 불활성 기체 분위기 및 150 내지 900 ℃ 하에서 10 분 내지 5 시간 동안 수행되며, 상기 (d) 단계의 열처리는 100 내지 200 ℃의 온도에서 약 30 분 내지 5 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 리튬 이차전지용 양극의 제조방법
|
15 |
15
청구항 1의 리튬 이차전지용 양극; 리튬계 음극; 상기 양극과 음극의 사이에 개재되는 전해질; 및 분리막;을 포함하는 리튬 이차전지
|