| 1 |
1
주석을 포함하는 페로브스카이트 화합물; 및 첨가제를 포함하고,상기 첨가제는 티오시안산납(Pb(SCN)2), 티오시안산 암모늄(NH4SCN), 티오시안산 나트륨(NaSCN), 티오시안산 에틸(CH3CH2SCN) 및 티오시안산 은(AgSCN)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 광흡수소재
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 주석을 포함하는 페로브스카이트 화합물은 포름아미디늄 삼요오드화 주석(formamidinium tin triiodide), 메틸암모늄 삼요오드화 주석(methylamidinium tin triiodide) 및 포름아미디늄 메틸암모늄 삼요오드화 주석:(MASnI3)x(FASnI3)1-x으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 광흡수소재
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,첨가제의 함량은 0
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,페로브스카이트 광활성층의 대기중에서 원자간력 현미경(AFM)을 통해 측정한 경우, 표면 거칠기가 20nm 이하인 것을 특징으로 하는 광흡수소재
|
| 5 |
5
제1항에 따른 광흡수소재를 포함하는 페로브스카이트 광활성층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,기재;상기 기재 상에 형성되는 정공수송층;상기 정공수송층 상에 형성되며, 광흡수소재를 포함하는 페로브스카이트 광활성층;상기 페로브스카이트 광활성층 상에 형성되는 전자수송층; 및상기 전자수송층 상에 형성되는 전극을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,페로브스카이트 광활성층은 주석을 포함하는 페로브스카이트 화합물; 및 첨가제를 포함하고,상기 첨가제의 함유량은 0
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,첨가제는 티오시안산납(Pb(SCN)2), 티오시안산 암모늄(NH4SCN), 티오시안산 나트륨(NaSCN), 티오시안산 에틸(CH3CH2SCN) 및 티오시안산 은(AgSCN)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 9 |
9
제5항에 있어서,전자수송층 및 전극 사이에 정공차단층을 더 포함하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 10 |
10
기재 상에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 첨가제가 포함된 페로브스카이트 전구체 용액을 도포하여 페로브스카이트 광활성층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 광활성층 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 상에 금속전극을 증착하여 전극을 형성하는 단계를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,페로브스카이트 전구체 용액에 포함된 첨가제는 티오시안산납(Pb(SCN)2), 티오시안산 암모늄(NH4SCN), 티오시안산 나트륨(NaSCN), 티오시안산 에틸(CH3CH2SCN) 및 티오시안산 은(AgSCN)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,페로브스카이트 전구체 용액은 0
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,페로브스카이트 광활성층을 형성하는 단계는 페로브스카이트 전구체 용액을 300nm 내지 600nm의 두께로 코팅하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 14 |
14
제10항에 있어서,전자수송층 상에 전극을 형성하기 전에 정공차단 물질을 도포하여 정공차단층을 형성하는 단계를 더 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
|
